WSD100N15DN56G N-суваг 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Хэсгийн дугаар:WSD100N15DN56G

BVDSS:150 В

ID:100А

RDSON:6мОм

Суваг:N суваг

Багц:DFN5X6-8

Бидэн рүү имэйл илгээнэ үү PDF

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

WSD100N15DN56G MOSFET-ийн хүчдэл 150В, гүйдэл 100А, эсэргүүцэл 6мОм, суваг нь N-суваг, багц нь DFN5X6-8.

Эмнэлгийн тэжээлийн хангамж MOSFET, PDs MOSFET, дрон MOSFET, электрон тамхи MOSFET, үндсэн цахилгаан хэрэгсэл MOSFET, цахилгаан хэрэгсэл MOSFET.

Тэмдэг	Параметр	Үнэлгээ	Нэгж
VDS	Ус зайлуулах эх үүсвэрийн хүчдэл	150	V
VGS	Хаалганы эх үүсвэрийн хүчдэл	±20	V
ID	Тасралтгүй ус зайлуулах гүйдэл, V_GS@ 10V(Т_C=25℃)	100	A
IDM	Импульсийн ус зайлуулах гүйдэл	360	A
EAS	Нэг импульсийн нуранги энерги	400	mJ
P_D	Нийт эрчим хүчний алдагдал..._C=25℃)	160	W
RθJA	Дулааны эсэргүүцэл, уулзвар-орчин	62	℃/Вт
RθJC	Дулааны эсэргүүцэл, уулзвар хайрцаг	0.78	℃/Вт
TSTG	Хадгалах температурын хүрээ	-55-аас 175 хүртэл	℃
T_J	Ашиглалтын уулзварын температурын хүрээ	-55-аас 175 хүртэл	℃

Тэмдэг	Параметр	Нөхцөл байдал	Мин.	Төрөл.	Макс.	Нэгж
BV_DSS	Ус зайлуулах эх үүсвэрийн эвдрэлийн хүчдэл	V_GS=0V, I_D=250уА	150	---	---	V
RDS(ON)	Статик ус зайлуулах эх үүсвэрийн эсэргүүцэл²	V_GS=10V, I_D=20А	---	9	12	мΩ
VGS(th)	Хаалганы босго хүчдэл	V_GS=V_DS, I_D=250уА	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Ус зайлуулах эх үүсвэрийн алдагдал гүйдэл	V_DS=100В, В_GS=0V , Т_J=25℃	---	---	1	uA
IGSS	Хаалганы эх үүсвэрийн алдагдал гүйдэл	V_GS=±20В, В_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	Хаалганы нийт төлбөр	V_DS=50В, В_GS=10V, I_D=20А	---	66	---	nC
Q_gs	Gate-Source Charge		---	26	---
Q_gd	Gate-Drain Charge		---	18	---
Td(асаалттай)	Асаах саатлын хугацаа	V_DD=50В,V_GS=10В R_G=2Ω, I_D=20А	---	37	---	ns
T_r	Өсөх цаг		---	98	---
Td(унтраах)	Унтраах саатлын хугацаа		---	55	---
T_f	Намрын цаг		---	20	---
C_исс	Оролтын багтаамж	V_DS=30В, В_GS=0V, f=1MHz	---	5450	---	pF
Coss	Гаралтын багтаамж		---	1730	---
C_rss	Урвуу дамжуулах багтаамж		---	195	---