WSD30140DN56 N-суваг 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Товч тодорхойлолт:

Загварын дугаар:WSD30140DN56

BVDSS:30 В

RDSON:1.7 мОм

ID:85А

Суваг:N суваг

Багц:DFN5*6-8

Бүтээгдэхүүний зун:WSD30140DN56 MOSFET-ийн хүчдэл 30В, гүйдэл 85А, эсэргүүцэл 1.7мОм, суваг нь N-суваг, багц нь DFN5*6-8.

Хэрэглээ:Цахим тамхи, утасгүй цэнэглэгч, дрон, эмнэлгийн тусламж үйлчилгээ, автомашины цэнэглэгч, хянагч, дижитал бүтээгдэхүүн, жижиг цахилгаан хэрэгсэл, хэрэглээний цахилгаан хэрэгсэл гэх мэт.

Бидэн рүү имэйл илгээнэ үү PDF

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

Өргөдөл

Бүтээгдэхүүний шошго

Ерөнхий тодорхойлолт

WSD30140DN56 нь синхрон бак хөрвүүлэгч програмуудад маш сайн RDSON болон хаалганы цэнэгийг хангадаг маш өндөр эсийн нягтрал бүхий хамгийн өндөр гүйцэтгэлтэй суваг N-сувгийн MOSFET юм.WSD30140DN56 нь RoHS болон ногоон бүтээгдэхүүний шаардлагад нийцсэн, 100% EAS баталгаа, бүрэн ажиллагаатай найдвартай байдлыг баталсан.

Онцлогууд

Дэвшилтэт эсийн нягтралтай транш технологи, хэт бага хаалганы цэнэг, маш сайн CdV/dt эффектийн бууралт, 100% EAS баталгаа, ногоон төхөөрөмжүүд боломжтой

Хэрэглээ

Өндөр давтамжийн ачааллын цэгийн синхрончлол, бак хувиргагч, сүлжээнд холбогдсон DC-DC эрчим хүчний систем, цахилгаан хэрэгслийн хэрэглээ, электрон тамхи, утасгүй цэнэглэгч, дрон, эмнэлгийн тусламж, автомашины цэнэглэлт, хянагч, дижитал бүтээгдэхүүн, жижиг цахилгаан хэрэгсэл, хэрэглээний цахилгаан хэрэгсэл

холбогдох материалын дугаар

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314.NTMFS4847N ДЭЭР.VISHAY SiRA62DP.ST STL86N3LLH6AG.INFINEON BSC050N03MSG.TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A.NXP PH2520U.TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL.ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN.PANJIT PJQ5410.AP AP3D5R0MT.NIKO PK610SA, PK510BA.POTENS PDC3803R

Чухал параметрүүд

Тэмдэг	Параметр	Үнэлгээ	Нэгж
VDS	Ус зайлуулах эх үүсвэрийн хүчдэл	30	V
VGS	Хаалганы эх үүсвэрийн хүчдэл	±20	V
ID@TC=25℃	Тасралтгүй ус зайлуулах гүйдэл, VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70℃	Тасралтгүй ус зайлуулах гүйдэл, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Импульсийн урсгал 2	300	A
PD@TC=25℃	Нийт эрчим хүчний зарцуулалт4	50	W
TSTG	Хадгалах температурын хүрээ	-55-аас 150 хүртэл	℃
TJ	Ашиглалтын уулзварын температурын хүрээ	-55-аас 150 хүртэл	℃

Тэмдэг	Параметр	Нөхцөл байдал	Мин.	Төрөл.	Макс.	Нэгж
BVDSS	Ус зайлуулах эх үүсвэрийн эвдрэлийн хүчдэл	VGS=0V , ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS температурын коэффициент	25℃-ийн лавлагаа, ID=1mA	---	0.02	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V , ID=20A	---	1.7	2.4	мΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V , ID=15A		2.5	3.3	мΩ
VGS(th)	Хаалганы босго хүчдэл	VGS=VDS , ID =250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Ус зайлуулах эх үүсвэрийн алдагдал гүйдэл	VDS=24V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Ус зайлуулах эх үүсвэрийн алдагдал гүйдэл	VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Хаалганы эх үүсвэрийн алдагдал гүйдэл	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Дамжуулах дамжуулалт	VDS=5V , ID=20А	---	90	---	S
Qg	Хаалганы нийт цэнэг (4.5V)	VDS=15V , VGS=4.5V , ID=20А	---	26	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	9.5	---
Чгд	Gate-Drain Charge		---	11.4	---
Td(асаалттай)	Асаах саатлын хугацаа	VDD=15V , VGEN=10V , RG=3Ω, RL=0.75Ω.	---	11	---	ns
Tr	Өсөх цаг		---	6	---
Td(унтраах)	Унтраах саатлын хугацаа		---	38.5	---
Tf	Намрын цаг		---	10	---
Ciss	Оролтын багтаамж	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	3000	---	pF
Coss	Гаралтын багтаамж		---	1280	---
Crss	Урвуу дамжуулах багтаамж		---	160	---