WSD30150DN56 N-суваг 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET бүтээгдэхүүний тойм
WSD30150DN56 MOSFET-ийн хүчдэл 30В, гүйдэл 150А, эсэргүүцэл 1.8мОм, суваг нь N-суваг, багц нь DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET хэрэглээний талбарууд
E-тамхи MOSFET, утасгүй цэнэглэгч MOSFET, нисгэгчгүй онгоц MOSFET, эмнэлгийн тусламж үйлчилгээ MOSFET, автомашины цэнэглэгч MOSFET, хянагч MOSFET, дижитал бүтээгдэхүүн MOSFET, жижиг гэр ахуйн цахилгаан хэрэгсэл MOSFET, өргөн хэрэглээний цахилгаан хэрэгсэл MOSFET.
WINSOK MOSFET нь бусад брэндийн материалын дугаартай тохирч байна
AOS MOSFET AON6512, AONS3234.
Onsemi,FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.
NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.
TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.
PANJIT MOSFET PJQ5428.
NIKO-SEM MOSFET PKC26BB, PKE24BB.
POTENS Хагас дамжуулагч MOSFET PDC392X.
MOSFET параметрүүд
| Тэмдэг | Параметр | Үнэлгээ | Нэгж |
| VDS | Ус зайлуулах эх үүсвэрийн хүчдэл | 30 | V |
| VGS | Хаалга-Суrce Хүчдэл | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Тасралтгүй ус зайлуулах гүйдэл, VGS@ 10V1,7 | 150 | A |
| ID@TC=100℃ | Тасралтгүй ус зайлуулах гүйдэл, VGS@ 10V1,7 | 83 | A |
| IDM | Импульсийн ус зайлуулах гүйдэл2 | 200 | A |
| EAS | Нэг импульсийн нуранги энерги3 | 125 | mJ |
| IAS | Нуранги урсгал | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Нийт эрчим хүчний алдагдал4 | 62.5 | W |
| TSTG | Хадгалах температурын хүрээ | -55-аас 150 хүртэл | ℃ |
| TJ | Ашиглалтын уулзварын температурын хүрээ | -55-аас 150 хүртэл | ℃ |
| Тэмдэг | Параметр | Нөхцөл байдал | Мин. | Төрөл. | Макс. | Нэгж |
| BVDSS | Ус зайлуулах эх үүсвэрийн эвдрэлийн хүчдэл | VGS=0V, ID=250уА | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSТемпературын коэффициент | 25-ын лавлагаа℃, ID=1мА | --- | 0.02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Статик ус зайлуулах эх үүсвэрийн эсэргүүцэл2 | VGS=10V, ID=20А | --- | 1.8 | 2.4 | mΩ |
| VGS=4.5V , ID=15А | 2.4 | 3.2 | ||||
| VGS(th) | Хаалганы босго хүчдэл | VGS=VDS, ID=250уА | 1.4 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Температурын коэффициент | --- | -6.1 | --- | мВ/℃ | |
| IDSS | Ус зайлуулах эх үүсвэрийн алдагдал гүйдэл | VDS=24В, ВGS=0V , ТJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24В, ВGS=0V , ТJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Хаалганы эх үүсвэрийн алдагдал гүйдэл | VGS=±20 В, ВDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Дамжуулах дамжуулалт | VDS=5V, ID=10А | --- | 27 | --- | S |
| Rg | Хаалганы эсэргүүцэл | VDS=0В, ВGS=0V, f=1MHz | --- | 0.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Хаалганы нийт цэнэг (4.5V) | VDS=15В, ВGS=4.5V , ID=30А | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 11.4 | --- | ||
| Td(асаалттай) | Асаах саатлын хугацаа | VDD=15В, ВГЕН=10В, РG=6Ω, ID=1А, RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Өсөх цаг | --- | 12 | --- | ||
| Td(унтраах) | Унтраах саатлын хугацаа | --- | 69 | --- | ||
| Tf | Намрын цаг | --- | 29 | --- | ||
| Cисс | Оролтын багтаамж | VDS=15В, ВGS=0V, f=1MHz | 2560 | 3200 | 3850 | pF |
| Coss | Гаралтын багтаамж | 560 | 680 | 800 | ||
| Crss | Урвуу дамжуулах багтаамж | 260 | 320 | 420 |
