WSD30350DN56G N суваг 30V 350A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

бүтээгдэхүүн

WSD30350DN56G N суваг 30V 350A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Товч тодорхойлолт:

Хэсгийн дугаар:WSD30350DN56G

BVDSS:30 В

ID:350А

RDSON:0.48 мОм 

Суваг:N суваг

Багц:DFN5X6-8


Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

Өргөдөл

Бүтээгдэхүүний шошго

WINSOK MOSFET бүтээгдэхүүний тойм

WSD30350DN56G MOSFET-ийн хүчдэл 30В, гүйдэл 350А, эсэргүүцэл 1.8мОм, суваг нь N-суваг, багц нь DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET хэрэглээний талбарууд

Цахим тамхи MOSFET, утасгүй цэнэглэгч MOSFET, нисгэгчгүй онгоц MOSFET, эмнэлгийн тусламж үйлчилгээ MOSFET, автомашины цэнэглэгч MOSFET, хянагч MOSFET, дижитал бүтээгдэхүүн MOSFET, жижиг гэр ахуйн цахилгаан хэрэгсэл MOSFET, өргөн хэрэглээний цахилгаан хэрэгсэл MOSFET.

MOSFET параметрүүд

Тэмдэг

Параметр

Үнэлгээ

Нэгж

VDS

Ус зайлуулах эх үүсвэрийн хүчдэл

30

V

VGS

Хаалга-Суrce Хүчдэл

±20

V

ID@TC=25

Тасралтгүй ус зайлуулах гүйдэлSilicon Limited1,7

350

A

ID@TC=70

Тасралтгүй ус зайлуулах гүйдэл(Цахиур хязгаарлагдмал1,7

247

A

IDM

Импульсийн ус зайлуулах гүйдэл2

600

A

EAS

Нэг импульсийн нуранги энерги3

1800

mJ

IAS

Нуранги урсгал

100

A

PD@TC=25

Нийт эрчим хүчний алдагдал4

104

W

TSTG

Хадгалах температурын хүрээ

-55-аас 150 хүртэл

TJ

Ашиглалтын уулзварын температурын хүрээ

-55-аас 150 хүртэл

 

Тэмдэг

Параметр

Нөхцөл байдал

Мин.

Төрөл.

Макс.

Нэгж

BVDSS

Ус зайлуулах эх үүсвэрийн эвдрэлийн хүчдэл VGS=0V, ID=250уА

30

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSТемпературын коэффициент 25-ын лавлагаа, ID=1мА

---

0.022

---

V/

RDS(ON)

Статик ус зайлуулах эх үүсвэрийн эсэргүүцэл2 VGS=10V, ID=20А

---

0.48

0.62

mΩ
VGS=4.5V , ID=20А

---

0.72

0.95

VGS(th)

Хаалганы босго хүчдэл VGS=VDS, ID=250уА

1.2

1.5

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Температурын коэффициент

---

-6.1

---

мВ/

IDSS

Ус зайлуулах эх үүсвэрийн алдагдал гүйдэл VDS=24В, ВGS=0V , ТJ=25

---

---

1

uA

VDS=24В, ВGS=0V , ТJ=55

---

---

5

IGSS

Хаалганы эх үүсвэрийн алдагдал гүйдэл VGS=±20 В, ВDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Дамжуулах дамжуулалт VDS=5V, ID=10А

---

40

---

S

Rg

Хаалганы эсэргүүцэл VDS=0В, ВGS=0V, f=1MHz

---

3.8

1.5

Ω

Qg

Хаалганы нийт цэнэг (4.5V) VDS=15В, ВGS=4.5V , ID=20А

---

89

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

37

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

20

---

Td(асаалттай)

Асаах саатлын хугацаа VDD=15В, ВГЕН=10V,

RG=1Ω, ID=10А

---

25

---

ns

Tr

Өсөх цаг

---

34

---

Td(унтраах)

Унтраах саатлын хугацаа

---

61

---

Tf

Намрын цаг

---

18

---

Cисс

Оролтын багтаамж VDS=15В, ВGS=0V, f=1MHz

---

7845

---

pF

Coss

Гаралтын багтаамж

---

4525

---

Crss

Урвуу дамжуулах багтаамж

---

139

---


  • Өмнөх:
  • Дараачийн:

  • Энд мессежээ бичээд бидэнд илгээгээрэй