WSM340N10G N суваг 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

товч тайлбар:

Загварын дугаар:WSM340N10G

BVDSS:100 В

RDSON:1.6 мОм

ID:340А

Суваг:N суваг

Багц:ТОЛБОР-8л

Бүтээгдэхүүний зун:WSM340N10G MOSFET-ийн хүчдэл 100В, гүйдэл 340А, эсэргүүцэл 1.6мОм, суваг нь N-суваг, багц нь TOLL-8L.

Хэрэглээ:Эмнэлгийн тоног төхөөрөмж, дрон, PD тэжээлийн хангамж, LED цахилгаан хангамж, үйлдвэрлэлийн тоног төхөөрөмж гэх мэт.

Лавлагаа илгээх PDF

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

Өргөдөл

Бүтээгдэхүүний шошго

Ерөнхий тодорхойлолт

WSM340N10G нь синхрон бак хөрвүүлэгчийн ихэнх хэрэглээнд маш сайн RDSON болон хаалганы цэнэгийг хангадаг эсийн нягтрал бүхий N-Ch MOSFET хамгийн өндөр гүйцэтгэлтэй суваг юм. WSM340N10G нь RoHS болон Ногоон Бүтээгдэхүүний шаардлагад нийцсэн, 100% EAS баталгаатай, бүрэн ажиллагаатай найдвартай.

Онцлогууд

Дэвшилтэт эсийн нягтралтай транш технологи, Супер бага хаалганы цэнэг, CdV/dt нөлөөг маш сайн бууруулдаг, 100% EAS баталгаатай, Ногоон төхөөрөмж ашиглах боломжтой.

Хэрэглээ

Синхрон залруулалт, DC/DC хувиргагч, Ачааллын унтраалга, Эмнэлгийн тоног төхөөрөмж, дрон, PD тэжээлийн хангамж, LED тэжээлийн хангамж, үйлдвэрлэлийн тоног төхөөрөмж гэх мэт.

Чухал параметрүүд

Үнэмлэхүй хамгийн их үнэлгээ

Тэмдэг	Параметр	Үнэлгээ	Нэгж
VDS	Ус зайлуулах эх үүсвэрийн хүчдэл	100	V
VGS	Хаалганы эх үүсвэрийн хүчдэл	±20	V
ID@TC=25℃	Тасралтгүй ус зайлуулах гүйдэл, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100℃	Тасралтгүй ус зайлуулах гүйдэл, VGS @ 10V	230	A
IDM	Импульсийн гүйдэл..TC=25°C	1150	A
EAS	Avalanche Energy, Single pulse,L=0.5mH	1800	mJ
IAS	Нуранги гүйдэл, Нэг импульс, L=0.5mH	120	A
PD@TC=25℃	Нийт эрчим хүчний алдагдал	375	W
PD@TC=100℃	Нийт эрчим хүчний алдагдал	187	W
TSTG	Хадгалах температурын хүрээ	-55-аас 175 хүртэл	℃
TJ	Ашиглалтын уулзварын температурын хүрээ	175	℃

Цахилгаан шинж чанар (ТЖ=25℃, өөрөөр заагаагүй бол)

Тэмдэг	Параметр	Нөхцөл байдал	Мин.	Төрөл.	Макс.	Нэгж
BVDSS	Ус зайлуулах эх үүсвэрийн эвдрэлийн хүчдэл	VGS=0V , ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS температурын коэффициент	25℃-ийн лавлагаа, ID=1mA	---	0.096	---	V/℃
RDS(ON)	Статик ус зайлуулах эх үүсвэрийн эсэргүүцэл	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	мΩ
VGS(th)	Хаалганы босго хүчдэл	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) Температурын коэффициент	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.5	---	мВ/℃
IDSS	Ус зайлуулах эх үүсвэрийн алдагдал гүйдэл	VDS=85V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Ус зайлуулах эх үүсвэрийн алдагдал гүйдэл	VDS=85V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Хаалганы эх үүсвэрийн алдагдал гүйдэл	VGS=±25V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Хаалганы эсэргүүцэл	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Хаалганы нийт цэнэг (10V)	VDS=50V , VGS=10V , ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	80	---
Чгд	Gate-Drain Charge		---	60	---
Td(асаалттай)	Асаах саатлын хугацаа	VDD=50V , VGS=10V ,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Өсөх цаг		---	50	---
Td(унтраах)	Унтраах саатал		---	228	---
Tf	Намрын цаг		---	322	---
Ciss	Оролтын багтаамж	VDS=40V , VGS=0V , f=1MHz	---	13900	---	pF
Coss	Гаралтын багтаамж		---	6160	---
Crss	Урвуу дамжуулах багтаамж		---	220	---