WST2088A N-суваг 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

Товч тодорхойлолт:

Загварын дугаар:WST2088A

BVDSS:20 В

RDSON:10.7 мОм

ID:7.5А

Суваг:N суваг

Багц:СОТ-23-3л

Бүтээгдэхүүний зун:WST2088A MOSFET-ийн хүчдэл 20V, гүйдэл 7.5А, эсэргүүцэл 10.7mΩ, суваг нь N-суваг, багц нь SOT-23-3L.

Хэрэглээ:Цахим тамхи, хянагч, дижитал бүтээгдэхүүн, жижиг гэр ахуйн цахилгаан хэрэгсэл, хэрэглээний цахилгаан хэрэгсэл гэх мэт.

Бидэн рүү имэйл илгээнэ үү PDF

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

Өргөдөл

Бүтээгдэхүүний шошго

Ерөнхий тодорхойлолт

WST2088A нь маш өндөр эсийн нягтралтай N-ch MOSFET-ийн хамгийн өндөр гүйцэтгэлтэй суваг бөгөөд энэ нь ихэнх жижиг цахилгаан сэлгэн залгах болон ачааллыг сэлгэх програмуудад маш сайн RDSON болон хаалганы цэнэгийг хангадаг.WST2088A нь RoHS болон Ногоон Бүтээгдэхүүний шаардлагад нийцсэн бөгөөд бүрэн ажиллагаатай найдвартай байдал нь батлагдсан.

Онцлогууд

Дэвшилтэт эсийн нягтралтай транш технологи, Хэт бага хаалганы цэнэглэлт, Cdv/dt эффектийг маш сайн бууруулдаг, Ногоон төхөөрөмж ашиглах боломжтой

Хэрэглээ

Цахилгаан сэлгэн залгах програм, Хатуу болон өндөр давтамжийн хэлхээ, Тасралтгүй цахилгаан хангамж, Цахим тамхи, хянагч, дижитал бүтээгдэхүүн, жижиг гэр ахуйн цахилгаан хэрэгсэл, хэрэглээний цахилгаан хэрэгсэл гэх мэт.

холбогдох материалын дугаар

AO AO3416, ON NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN гэх мэт.

Чухал параметрүүд

Цахилгаан шинж чанар (ТЖ=25 ℃, өөрөөр заагаагүй бол)

Тэмдэг	Параметр	Үнэлгээ	Нэгж
VDS	Ус зайлуулах эх үүсвэрийн хүчдэл	20	V
VGS	Хаалганы эх үүсвэрийн хүчдэл	±12	V
ID@Tc=25℃	Тасралтгүй ус зайлуулах гүйдэл, VGS @ 4.5V	7.5	A
ID@Tc=70℃	Тасралтгүй ус зайлуулах гүйдэл, VGS @ 4.5V	4.5	A
IDP	Импульсийн ус зайлуулах гүйдэл	24	A
PD@TA=25℃	Нийт эрчим хүчний алдагдал	1.25	W
TSTG	Хадгалах температурын хүрээ	-55-аас 150 хүртэл	℃
TJ	Ашиглалтын уулзварын температурын хүрээ	-55-аас 150 хүртэл	℃

Тэмдэг	Параметр	Нөхцөл байдал	Мин.	Төрөл.	Макс.	Нэгж
BVDSS	Ус зайлуулах эх үүсвэрийн эвдрэлийн хүчдэл	VGS=0V , ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS температурын коэффициент	25℃-ийн лавлагаа, ID=1mA	---	0.018	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V , ID=6A	---	10.7	14	мΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2					мΩ
		VGS=2.5V , ID=5A	---	12.8	17
VGS(th)	Хаалганы босго хүчдэл	VGS=VDS , ID =250uA	0.4	0.63	1.2	V
IDSS	Ус зайлуулах эх үүсвэрийн алдагдал гүйдэл	VDS=16V , VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Хаалганы эх үүсвэрийн алдагдал гүйдэл	VGS=±12V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Хаалганы нийт төлбөр	VDS=15V , VGS=4.5V , ID=6A	---	10	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	1.6	---
Чгд	Gate-Drain Charge		---	3.4	---
Td(асаалттай)	Асаах саатлын хугацаа	VDS=10V, VGS=4.5V,RG=3.3Ω ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Өсөх цаг		---	15	---
Td(унтраах)	Унтраах саатлын хугацаа		---	33	---
Tf	Намрын цаг		---	13	---
Ciss	Оролтын багтаамж	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	590	---	pF
Coss	Гаралтын багтаамж		---	125	---
Crss	Урвуу дамжуулах багтаамж		---	90	---