Power MOSFET-ийн ажиллах зарчмын тухай

Power MOSFET нь үндсэн хоёр аргаар ажилладаг:

(1) D ба S (ус зайлуулах эерэг, сөрөг эх үүсвэр) ба UGS=0-д эерэг хүчдэл нэмэгдэхэд P биеийн бүс ба N ус зайлуулах бүс дэх PN уулзвар урвуу чиглэлтэй байх ба D хооронд гүйдэл дамжихгүй. ба S. Хэрэв G ба S хооронд эерэг хүчдэлийн UGS нэмбэл хаалга нь тусгаарлагдсан тул хаалганы гүйдэл гарахгүй, харин хаалганы эерэг хүчдэл нь нүхийг P мужаас холдуулна. доор байх ба цөөнхийн тээвэрлэгч электронууд P бүсийн гадаргуу руу татагдах болно UGS нь тодорхой UT хүчдэлээс их байх үед хаалганы доорх P бүсийн гадаргуу дээрх электроны концентраци нүхний концентрациас давж, улмаар P- болно. төрөл хагас дамжуулагч antipattern давхарга N төрлийн хагас дамжуулагч; энэ эсрэг хэв маягийн давхарга нь эх үүсвэр ба ус зайлуулах хоолойн хооронд N хэлбэрийн суваг үүсгэдэг бөгөөд ингэснээр PN уулзвар алга болж, эх үүсвэр ба ус зайлуулах суваг дамждаг бөгөөд ус зайлуулах гүйдлийн ID нь ус зайлуулах хоолойгоор урсдаг. UT-ийг асаах хүчдэл буюу босго хүчдэл гэж нэрлэдэг бөгөөд UGS нь UT-ээс их байх тусам дамжуулагч чадвар нь илүү их байх ба ID нь том болно. UGS нь UT-ээс их байх тусам дамжуулах чадвар нь илүү хүчтэй байх тусам ID нь их болно.

(2) D, S нэмэх сөрөг хүчдэл (эх үүсвэр эерэг, ус зайлуулах сөрөг) үед PN уулзвар нь урагш чиглэсэн, дотоод урвуу диодтой тэнцэх (хурдан хариу үйлдэл үзүүлэх шинж чанаргүй), өөрөөр хэлбэлMOSFET урвуу блоклох чадваргүй, урвуу дамжуулалтын бүрэлдэхүүн хэсэг гэж үзэж болно.

    гэхэдMOSFET үйл ажиллагааны зарчмыг харж болно, түүний дамжуулах зөвхөн нэг туйлт тээвэрлэгч оролцож дамжуулагч, тиймээс бас нэг туйлт транзистор гэж нэрлэдэг.MOSFET хөтөч нь ихэвчлэн цахилгаан хангамжийн IC болон MOSFET параметрүүдийг тохирох хэлхээг сонгоход тулгуурласан байдаг, MOSFET ерөнхийдөө шилжих ашиглаж байна. цахилгаан хангамжийн хөтчийн хэлхээ. MOSFET ашиглан сэлгэн залгах цахилгаан хангамжийг зохион бүтээхдээ ихэнх хүмүүс MOSFET-ийн эсэргүүцэл, хамгийн их хүчдэл, хамгийн их гүйдлийг харгалзан үздэг. Гэсэн хэдий ч хүмүүс зөвхөн эдгээр хүчин зүйлсийг харгалзан үздэг бөгөөд ингэснээр хэлхээ зөв ажиллах боломжтой боловч энэ нь дизайны сайн шийдэл биш юм. Илүү нарийвчилсан дизайны хувьд MOSFET нь өөрийн параметрийн мэдээллийг авч үзэх ёстой. Тодорхой MOSFET-ийн хувьд түүний жолоодлогын хэлхээ, хөтчийн гаралтын оргил гүйдэл гэх мэт нь MOSFET-ийн шилжих гүйцэтгэлд нөлөөлнө.