MOSFET багц сонгох заавар

Хоёрдугаарт, системийн хязгаарлалтын хэмжээ

Зарим цахим системүүд нь ПХБ болон дотоод системээр хязгаарлагддаг өндөр, схолбооны систем зэрэг uch, өндөр хязгаарлалт улмаас модульчлагдсан эрчим хүчний хангамж нь ихэвчлэн DFN5 * 6, DFN3 * 3 багц ашиглах; Зарим ACDC тэжээлийн хангамжид хэт нимгэн дизайн ашиглах эсвэл бүрхүүлийн хязгаарлалтаас шалтгаалан TO220 багцыг угсарч MOSFET хөлийн өндөрт шууд суулгасан тохиолдолд TO247 багцыг ашиглаж чадахгүй. Зарим хэт нимгэн загвар нь төхөөрөмжийн тээглүүрийг шууд нугалахад энэхүү дизайны үйлдвэрлэлийн үйл явц нь нарийн төвөгтэй болно.

Гуравдугаарт, компанийн үйлдвэрлэлийн үйл явц

TO220 нь хоёр төрлийн савлагаатай: нүцгэн металл савлагаа, бүрэн хуванцар савлагаа, нүцгэн металл савлагааны дулааны эсэргүүцэл бага, дулаан ялгаруулах чадвар хүчтэй, гэхдээ үйлдвэрлэлийн явцад дулаалгын дусал нэмэх шаардлагатай, үйлдвэрлэлийн процесс нь нарийн төвөгтэй, зардал ихтэй, Бүрэн хуванцар савлагааны дулааны эсэргүүцэл их, дулаан ялгаруулах чадвар сул боловч үйлдвэрлэлийн процесс нь энгийн.

Шураг түгжих зохиомол үйл явцыг багасгахын тулд сүүлийн жилүүдэд зарим электрон системүүдийг цахилгаан тэжээлд хавчаараар ашигладаг.MOSFETs дулаан шингээгч нь хавчаартай, ингэснээр битүүмжлэх шинэ хэлбэрээр нүх арилгах дээд хэсгийн уламжлалт TO220 хэсэг гарч ирэх, гэхдээ бас төхөөрөмжийн өндрийг багасгах.

Дөрөвдүгээрт, зардлын хяналт

Ширээний эх хавтан, хавтан гэх мэт өртөг өндөртэй зарим програмуудад DPAK багц дахь хүчирхэг MOSFET-ийг ихэвчлэн ийм багцын өртөг багатай тул ашигладаг. Тиймээс хүчирхэг MOSFET багцыг сонгохдоо компанийн хэв маяг, бүтээгдэхүүний онцлогтой хослуулан, дээрх хүчин зүйлсийг анхаарч үзээрэй.

Тавдугаарт, ихэнх тохиолдолд BVDSS тэсвэрлэх хүчдэлийг сонгоно, учир нь оролтын дизайн voэлектроникийн хэмжээ систем нь харьцангуй тогтмол, компани нь тодорхой тооны материалын нийлүүлэгчийг сонгосон, бүтээгдэхүүний нэрлэсэн хүчдэл нь мөн тогтмол байна.

Мэдээллийн хуудсанд MOSFET-ийн эвдрэлийн хүчдэлийн BVDSS нь туршилтын нөхцлийг тодорхойлсон бөгөөд өөр өөр нөхцөлд өөр өөр утгатай, BVDSS нь эерэг температурын коэффициенттэй тул эдгээр хүчин зүйлсийн хослолыг бодитоор ашиглахдаа цогц байдлаар авч үзэх хэрэгтэй.

Маш олон мэдээлэл, ном зохиолыг ихэвчлэн дурддаг: хэрэв MOSFET VDS систем нь BVDSS-ээс их бол хамгийн өндөр хүчдэлийн хүчдэлтэй байвал, импульсийн хүчдэл хэдхэн эсвэл хэдэн арван нс хүртэл үргэлжилсэн ч MOSFET цахилгаан нурангид орно. улмаар гэмтэл үүсдэг.

Транзистор ба IGBT-ээс ялгаатай нь хүчирхэг MOSFET нь нуранги эсэргүүцэх чадвартай бөгөөд олон том хагас дамжуулагч компаниуд үйлдвэрлэлийн шугамд MOSFET-ийн нуранги энергийг бүрэн шалгаж, 100% илрүүлдэг, өөрөөр хэлбэл өгөгдөлд энэ нь хэмжилт, нуралтын хүчдэлийн баталгаатай байдаг. ихэвчлэн BVDSS-ээс 1.2 ~ 1.3 дахин их тохиолддог ба үргэлжлэх хугацаа нь ихэвчлэн μs, тэр ч байтугай ms түвшин, дараа нь хэдхэн эсвэл хэдэн арван ns үргэлжлэх хугацаа, нуранги хүчдэлийн баяжуулалтын импульсийн хүчдэлээс хамаагүй бага эрчим хүчний MOSFET гэмтэл биш юм.

Зургаа, хөтөчийн хүчдэлийн сонголтоор VTH

MOSFET-ийн цахилгаан эрчим хүчний өөр өөр электрон системүүдийн сонгосон хөтөчийн хүчдэл нь ижил биш, хувьсах / тогтмол гүйдлийн тэжээлийн хангамж нь ихэвчлэн 12V хөтөчийн хүчдэл, зөөврийн компьютерын эх хавтангийн DC / DC хөрвүүлэгч нь 5V хөтөчийн хүчдэлийг ашигладаг тул системийн хөтчийн хүчдэлийн дагуу өөр босго хүчдэлийг сонгоно. VTH хүчирхэг MOSFET.

Мэдээллийн хүснэгтэд MOSFET-ийн хүч чадлын VTH босго хүчдэл нь туршилтын нөхцөлийг тодорхойлсон бөгөөд өөр өөр нөхцөлд өөр өөр утгатай, VTH нь сөрөг температурын коэффициенттэй байна. VGS хөтчийн өөр өөр хүчдэл нь өөр өөр эсэргүүцэлтэй тохирч байдаг бөгөөд практик хэрэглээнд температурыг харгалзан үзэх нь чухал юм.

Практик хэрэглээнд MOSFET-ийг бүрэн асаасан эсэхийг шалгахын тулд температурын хэлбэлзлийг анхаарч үзэх хэрэгтэй бөгөөд үүний зэрэгцээ унтрах явцад G туйлтай холбосон спик импульс нь худал өдөөлтөөс болж өдөөгддөггүй. шулуун эсвэл богино холболт үүсгэх.