MOSFET бага гүйдлийн халаалтын шалтгаан ба арга хэмжээ

I. ШалтгаануудMOSFET халаалт
1, хэлхээний дизайны асуудал. Энэ нь MOSFET-ийг сэлгэн залгах төлөвт бус онлайн төлөвт ажиллуулах явдал юм. Энэ нь MOSFET халуурах шалтгаануудын нэг юм. Хэрэв N-MOS нь сэлгэн залгах юм бол бүрэн асаалттай байхын тулд G түвшний хүчдэл нь тэжээлийн эх үүсвэрээс хэдхэн В өндөр байх ёстой бөгөөд P-MOS-ийн хувьд эсрэгээрээ. Бүрэн нээгдээгүй, хүчдэлийн уналт нь хэт том учраас эрчим хүчний зарцуулалт, эквивалент тогтмол гүйдлийн эсэргүүцэл нь харьцангуй их, хүчдэлийн уналт ихсэх тул U * I бас нэмэгддэг, алдагдал нь дулаан гэсэн үг.

2, давтамж хэт өндөр байна. Заримдаа эзэлхүүн нь хэт ихэсдэг бөгөөд үүний үр дүнд давтамж нэмэгдэж, MOSFET-ийн алдагдал нэмэгдэж, MOSFET-ийн халаалтад хүргэдэг.

3, гүйдэл хэт өндөр байна. ID нь хамгийн их гүйдлийн хэмжээнээс бага байвал MOSFET-ийг халаахад хүргэдэг.

4, MOSFET загварын сонголт буруу байна. MOSFET-ийн дотоод эсэргүүцлийг бүрэн тооцдоггүй тул шилжүүлэгчийн эсэргүүцэл нэмэгддэг.二、

MOSFET-ийн хүчтэй дулааныг бий болгох шийдэл
1, MOSFET-ийн дулаан шингээгчийн дизайныг сайн хий.

2, хангалттай нэмэлт дулаан шингээгч нэмнэ.

3, Дулаан шингээгч цавууг наа.