IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) болон MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Efffect Transistor) нь цахилгаан электроникийн салбарт өргөн хэрэглэгддэг хоёр түгээмэл цахилгаан хагас дамжуулагч төхөөрөмж юм. Эдгээр нь хоёулаа янз бүрийн хэрэглээнд чухал бүрэлдэхүүн хэсэг боловч хэд хэдэн талаараа эрс ялгаатай. IGBT ба MOSFET хоёрын үндсэн ялгааг доор харуулав.
1. Ажлын зарчим
- IGBT: IGBT нь BJT (Bipolar Junction Transistor) болон MOSFET-ийн шинж чанаруудыг хослуулсан тул түүнийг эрлийз төхөөрөмж болгодог. Энэ нь BJT-ийн суурийг MOSFET-ийн хаалганы хүчдэлээр удирддаг бөгөөд энэ нь эргээд BJT-ийн дамжуулалт ба таслалтыг хянадаг. IGBT-ийн дамжуулалт ба таслах үйл явц нь харьцангуй нарийн төвөгтэй боловч бага дамжуулалтын хүчдэлийн алдагдал, өндөр хүчдэлийн хүлцэлтэй байдаг.
- MOSFET: MOSFET нь хаалганы хүчдэлээр дамжих хагас дамжуулагч дахь гүйдлийг хянадаг талбарт нөлөөлдөг транзистор юм. Хаалганы хүчдэл нь эх үүсвэрийн хүчдэлээс хэтэрсэн үед дамжуулагч давхарга үүсч, гүйдэл урсахыг зөвшөөрдөг. Үүний эсрэгээр, хаалганы хүчдэл нь босго хэмжээнээс доогуур байвал дамжуулагч давхарга алга болж, гүйдэл урсах боломжгүй болно. MOSFET-ийн ажиллагаа нь харьцангуй энгийн бөгөөд хурдан шилжих хурдтай байдаг.
2. Хэрэглэх талбар
- IGBT: Өндөр хүчдэлийг тэсвэрлэх чадвар, дамжуулалтын хүчдэл багатай, хурдан сэлгэн залгах чадвараараа IGBT нь инвертер, мотор драйвер, гагнуурын машин, тасалдалгүй тэжээлийн хангамж (UPS) зэрэг өндөр чадалтай, алдагдал багатай хэрэглээнд ялангуяа тохиромжтой. . Эдгээр програмуудад IGBT нь өндөр хүчдэлийн болон өндөр гүйдлийн сэлгэн залгах ажиллагааг үр дүнтэй удирддаг.
- MOSFET: MOSFET нь хурдан хариу үйлдэл, өндөр оролтын эсэргүүцэл, тогтвортой сэлгэн залгах гүйцэтгэл, хямд өртөгтэй нь унтраалгатай тэжээлийн хангамж, гэрэлтүүлэг, аудио өсгөгч, логик хэлхээ зэрэг бага чадалтай, хурдан сэлгэн залгах програмуудад өргөн хэрэглэгддэг. . MOSFET нь бага чадал, бага хүчдэлийн хэрэглээнд онцгой сайн ажилладаг.
3. Гүйцэтгэлийн шинж чанар
- IGBT: IGBT нь дамжуулалтын алдагдал багатай их хэмжээний хүчийг зохицуулах чадвартай тул өндөр хүчдэл, өндөр гүйдлийн хэрэглээнд илүү сайн ажилладаг боловч MOSFET-тэй харьцуулахад шилжих хурд бага байдаг.
- MOSFET: MOSFET нь илүү хурдан шилжих хурд, бага хүчдэлийн хэрэглээнд өндөр үр ашигтай, өндөр сэлгэн залгах давтамжтай үед бага эрчим хүчний алдагдлаар тодорхойлогддог.
4. Солигдох чадвар
IGBT болон MOSFET нь өөр өөр зорилгоор бүтээгдсэн бөгөөд ашиглагддаг бөгөөд тэдгээрийг ихэвчлэн сольж болохгүй. Ямар төхөөрөмжийг ашиглах нь тодорхой хэрэглээ, гүйцэтгэлийн шаардлага, зардлын үзүүлэлтээс хамаарна.
Дүгнэлт
IGBT болон MOSFET нь ажиллах зарчим, хэрэглээний талбар, гүйцэтгэлийн шинж чанараараа ихээхэн ялгаатай. Эдгээр ялгааг ойлгох нь эрчим хүчний электроникийн загварт тохирох төхөөрөмжийг сонгох, оновчтой гүйцэтгэл, зардлын үр ашгийг хангахад тусалдаг.
Шуудангийн цаг: 2024 оны 9-р сарын 21-ний хооронд
