Шинжлэх ухаан, технологийн хурдацтай хөгжиж буй өнөө үед хагас дамжуулагчийг илүү олон салбарт ашиглаж байна.MOSFET Энэ нь маш түгээмэл хагас дамжуулагч төхөөрөмж гэж тооцогддог тул дараагийн алхам бол хоёр туйлт эрчим хүчний болор транзистор ба гаралтын чадлын MOSFET хоёрын хооронд ямар ялгаа байгааг ойлгох явдал юм.
1, ажлын арга
MOSFET нь ажиллах хүчдэлийг дэмжихэд шаардлагатай ажил юм, хэлхээний диаграм нь харьцангуй энгийн тайлбарлаж, жижиг хүчийг дэмжих; эрчим хүчний болор транзистор нь эрчим хүчний урсгалыг сурталчлахын тулд програмын дизайныг илүү төвөгтэй болгож, техникийн үзүүлэлтийг дэмжихэд хэцүү сонголтыг дэмжихийн тулд эрчим хүчний хангамжийн нийт шилжих хурдыг эрсдэлд оруулах болно.
2, цахилгаан тэжээлийн нийт шилжих хурд
Температурын нөлөөлөлд өртсөн MOSFET нь бага, тэжээлийн хангамжийн сэлгэн залгах гаралтын хүч нь 150KHz-ээс дээш давтамжийг баталгаажуулж чадна; Эрчим хүчний болор транзистор нь маш цөөн тооны үнэгүй цэнэглэх хадгалах хугацаатай, тэжээлийн хангамжийн сэлгэх хурдыг хязгаарладаг боловч гаралтын чадал нь ерөнхийдөө 50 кГц-ээс ихгүй байна.
3、Аюулгүй ажлын талбай
Эрчим хүчний MOSFET хоёрдогч үндэслэлгүй, аюулгүй ажлын талбай өргөн; Хүчтэй болор транзистор нь хоёрдогч суурь нөхцөлтэй бөгөөд энэ нь аюулгүй ажлын талбайг хязгаарладаг.
4、Цахилгаан дамжуулагчийн ажлын шаардлага ажлын хүчдэл
ХүчMOSFET өндөр хүчдэлийн төрөлд хамаарах, дамжуулах ажлын шаардлага ажлын хүчдэл өндөр, эерэг температурын коэффициент байдаг; Хүчтэй болор транзистор нь ажлын шаардлагад хэр их мөнгө тэсвэртэй байсан ч ажлын хүчдэл, цахилгаан дамжуулагчийн ажлын хүчдэл бага, сөрөг температурын коэффициенттэй байдаг.
5, хамгийн их эрчим хүчний урсгал
Эрчим хүчний MOSFET нь сэлгэн залгах цахилгаан тэжээлийн хэлхээний цахилгаан хангамжийн хэлхээний цахилгаан хангамжийн хэлхээнд цахилгаан хангамжийн унтраалга болгон ажиллаж, дунд нь тогтвортой ажиллаж, хамгийн их цахилгаан зарцуулалт бага байна; болон эрчим хүчний болор транзистор ажиллаж, дунд тогтвортой ажил, хамгийн их эрчим хүчний урсгал нь илүү өндөр байна.
6, Бүтээгдэхүүний өртөг
MOSFET-ийн эрчим хүчний үнэ арай өндөр байна; цахилгаан болор триодын өртөг арай бага байна.
7, Нэвтрэх нөлөө
Power MOSFET нь нэвтрэлтийн нөлөөгүй; эрчим хүчний болор транзистор нь нэвтрэлтийн нөлөөтэй.
8、Шилжүүлэлтийн алдагдал
MOSFET шилжүүлгийн алдагдал тийм ч их биш; эрчим хүчний болор транзисторын шилжүүлгийн алдагдал харьцангуй их байна.
Үүнээс гадна, эрчим хүчний MOSFET нэгдсэн шок шингээгч диод, хоёр туйлт эрчим хүчний болор транзистор бараг ямар ч нэгдсэн цочрол шингээгч диод.MOSFET цочрол шингээгч диод нь мөн эрчим хүчний хүчин зүйлийн өнцгийг өгөх цахилгаан тэжээлийн хэлхээний соронзон ороомог солих бүх нийтийн соронз байж болно байхад, дийлэнх нь. эрчим хүчний урсгалын аюулгүйн сувгийн . Цочрол шингээгч диод дахь талбайн эффектийн хоолой нь ерөнхий диодтой хамт унтрах бүх процесст урвуу нөхөн сэргээх гүйдлийн урсгал байгаа тул энэ үед диод нь нэг талаас ус зайлуулах суваг - эх үүсвэрийн туйлын эерэг дунд хэсэг юм. нөгөө талаас ажиллах хүчдлийн ажлын шаардлагын өсөлт, урвуу нөхөн сэргээх гүйдлийн урсгал.
Шуудангийн цаг: 2024 оны 5-р сарын 23-ны хооронд
