MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) нь ихэвчлэн бүрэн удирдлагатай төхөөрөмж гэж тооцогддог. Учир нь MOSFET-ийн ажиллах төлөв (асаалттай эсвэл унтраалттай) нь хаалганы хүчдэл (Vgs) -ээр бүрэн хянагддаг бөгөөд хоёр туйлт транзистор (BJT)-ийн хувьд үндсэн гүйдлээс хамаардаггүй.
MOSFET-д хаалганы хүчдэл Vgs нь эх үүсвэр ба ус зайлуулах хоолойн хооронд дамжуулагч суваг үүссэн эсэх, мөн дамжуулах сувгийн өргөн ба дамжуулах чанарыг тодорхойлдог. Vgs нь Vt босго хүчдэлээс хэтэрсэн үед дамжуулагч суваг үүсч, MOSFET нь төлөвт ордог; Vgs Vt-ээс доош унах үед дамжуулагч суваг алга болж, MOSFET нь таслагдах төлөвт байна. Хаалганы хүчдэл нь бусад гүйдэл эсвэл хүчдэлийн параметрүүдэд найдахгүйгээр MOSFET-ийн үйл ажиллагааны төлөвийг бие даан, нарийн хянах боломжтой тул энэ хяналтыг бүрэн хянадаг.
Үүний эсрэгээр, хагас удирдлагатай төхөөрөмжүүдийн (жишээ нь, тиристор) үйл ажиллагааны төлөв нь зөвхөн хяналтын хүчдэл эсвэл гүйдэл төдийгүй бусад хүчин зүйлээс (жишээлбэл, анодын хүчдэл, гүйдэл гэх мэт) нөлөөлдөг. Үүний үр дүнд бүрэн хяналттай төхөөрөмжүүд (жишээлбэл, MOSFETs) нь хяналтын нарийвчлал, уян хатан байдлын хувьд илүү сайн гүйцэтгэлийг санал болгодог.
Дүгнэж хэлэхэд, MOSFET нь бүрэн удирдлагатай төхөөрөмжүүд бөгөөд үйл ажиллагааны төлөв нь хаалганы хүчдэлээр бүрэн хянагддаг бөгөөд өндөр нарийвчлал, уян хатан чанар, бага эрчим хүч зарцуулдаг зэрэг давуу талуудтай.
Шуудангийн цаг: 2024 оны 9-р сарын 20-ны хооронд
