Талбайн эффект транзистор гэж товчилсонMOSFET.Үндсэн хоёр төрөл байдаг: уулзвар талбайн нөлөөллийн хоолой ба металл-оксидын хагас дамжуулагч талбайн нөлөөний хоолой. MOSFET нь дамжуулалтад оролцдог ихэнх тээвэрлэгчтэй нэг туйлт транзистор гэж нэрлэгддэг. Эдгээр нь хүчдэлийн удирдлагатай хагас дамжуулагч төхөөрөмж юм. Оролтын өндөр эсэргүүцэлтэй, дуу чимээ багатай, эрчим хүчний хэрэглээ багатай, бусад шинж чанараараа биполяр транзистор болон хүчирхэг транзистортой хүчтэй өрсөлдөгч болж байна.
I. MOSFET-ийн үндсэн параметрүүд
1, DC параметрүүд
Хаалт ба эх үүсвэрийн хоорондох хүчдэл тэгтэй тэнцүү байх ба drain болон эх үүсвэрийн хоорондох хүчдэл нь хавчих хүчдэлээс их байх үед харгалзах ус зайлуулах гүйдлийг ханалтын drain гүйдэл гэж тодорхойлж болно.
Чимхэх хүчдэл UP: UDS тодорхой болсон үед ID-г бага гүйдэл болгон бууруулахад шаардагдах UGS;
Асаах хүчдэл UT: UDS тодорхой үед ID-г тодорхой утгад хүргэхийн тулд UGS шаардлагатай.
2, хувьсах гүйдлийн параметрүүд
Бага давтамжийн дамжуулалт gm : Хаалга болон эх үүсвэрийн хүчдэлийн гүйдлийн гүйдэлд үзүүлэх хяналтын нөлөөг тодорхойлдог.
Тул хоорондын багтаамж: MOSFET-ийн гурван электродын хоорондох багтаамж нь бага байх тусам гүйцэтгэл сайн байх болно.
3、Хязгаарлалтын параметрүүд
Дренаж, эх үүсвэрийн эвдрэлийн хүчдэл: ус зайлуулах гүйдэл огцом өсөх үед UDS үед нуранги эвдрэлийг үүсгэдэг.
Хаалганы эвдрэлийн хүчдэл: уулзвар талбайн нөлөөллийн хоолойн хэвийн ажиллагаа, урвуу хэвийсэн төлөвт PN уулзвар хоорондын хаалга ба эх үүсвэр, гүйдэл нь эвдрэл үүсгэхэд хэтэрхий том байна.
II. -ийн онцлогMOSFETs
MOSFET нь олшруулах функцтэй бөгөөд олшруулсан хэлхээ үүсгэж чаддаг. Триодтой харьцуулахад дараах шинж чанаруудтай.
(1) MOSFET нь хүчдэлийн удирдлагатай төхөөрөмж бөгөөд потенциалыг UGS удирддаг;
(2) MOSFET-ийн оролтын гүйдэл нь маш бага тул оролтын эсэргүүцэл нь маш өндөр;
(3) Дамжуулах чадварын хувьд дийлэнх зөөгчийг ашигладаг тул температурын тогтвортой байдал нь сайн;
(4) Түүний олшруулах хэлхээний хүчдэлийн өсгөлтийн коэффициент нь триодынхоос бага;
(5) Энэ нь цацрагт илүү тэсвэртэй.
Гуравдугаарт,MOSFET ба транзисторын харьцуулалт
(1) MOSFET эх үүсвэр, хаалга, ус зайлуулах суваг, триодын эх үүсвэр, суурь, тогтоосон цэгийн туйл нь ижил төстэй үүрэг гүйцэтгэдэг.
(2) MOSFET бол хүчдэлийн удирдлагатай гүйдлийн төхөөрөмж, олшруулах коэффициент бага, өсгөх чадвар муу; триод бол гүйдлийн удирдлагатай хүчдэлийн төхөөрөмж бөгөөд олшруулах чадвар хүчтэй.
(3) MOSFET хаалга нь үндсэндээ гүйдэл авдаггүй; ба триодын ажил, суурь нь тодорхой гүйдлийг шингээх болно. Тиймээс MOSFET хаалганы оролтын эсэргүүцэл нь триодын оролтын эсэргүүцлээс өндөр байна.
(4) MOSFET-ийн дамжуулагч процесс нь политрон, триод нь политрон ба олиготроны гэсэн хоёр төрлийн тээвэрлэгчийг оролцуулдаг бөгөөд түүний олиготроны концентраци нь температур, цацраг болон бусад хүчин зүйлээс ихээхэн хамаардаг тул MOSFET нь транзистороос илүү температурын тогтвортой байдал, цацрагийн эсэргүүцэлтэй байдаг. Хүрээлэн буй орчны нөхцөл байдал ихээхэн өөрчлөгдөх үед MOSFET-ийг сонгох хэрэгтэй.
(5) MOSFET-ийг эх металл болон субстраттай холбосон үед эх үүсвэр, дренаж солигдох боломжтой бөгөөд шинж чанар нь тийм ч их өөрчлөгддөггүй, харин транзисторын коллектор, эмиттерийг солих үед шинж чанар нь өөр бөгөөд β утга буурсан байна.
(6) MOSFET-ийн дуу чимээ бага байна.
(7) MOSFET ба триод нь янз бүрийн өсгөгчийн хэлхээ ба сэлгэн залгах хэлхээнээс бүрдэх боломжтой боловч эхнийх нь бага эрчим хүч, өндөр дулааны тогтвортой байдал, өргөн хүрээний тэжээлийн хүчдэл хэрэглэдэг тул том болон хэт том цахилгаан хангамжид өргөн хэрэглэгддэг. масштабтай нэгдсэн хэлхээ.
(8) Триодын эсэргүүцэл том, MOSFET-ийн эсэргүүцэл бага тул MOSFET-ийг ихэвчлэн өндөр үр ашигтай унтраалга болгон ашигладаг.
Шуудангийн цаг: 2024 оны 5-р сарын 16-ны хооронд
