MOSFET эсрэг урвуу хэлхээ нь урвуу цахилгаан туйлшралаас болж ачааллын хэлхээг гэмтээхээс хамгаалах хамгаалалтын арга юм. Цахилгаан хангамжийн туйлшрал зөв байвал хэлхээ хэвийн ажилладаг; цахилгаан хангамжийн туйлшралыг өөрчлөх үед хэлхээ автоматаар таслагдах бөгөөд ингэснээр ачааллыг гэмтлээс хамгаална. Дараах нь MOSFET эсрэг урвуу хэлхээний нарийвчилсан дүн шинжилгээ юм.
Нэгдүгээрт, MOSFET эсрэг урвуу хэлхээний үндсэн зарчим
MOSFET-ийн эсрэг урвуу хэлхээг MOSFET-ийн шилжих шинж чанарыг ашиглан, хэлхээг асаах, унтраахын тулд хаалганы (G) хүчдэлийг хянах замаар. Цахилгаан хангамжийн туйлшрал зөв байвал хаалганы хүчдэл нь MOSFET-ийг дамжуулалтын төлөвт байлгаж, гүйдэл хэвийн урсаж болно; тэжээлийн хангамжийн туйлшралыг өөрчлөх үед хаалганы хүчдэл нь MOSFET дамжуулалтыг хийж чадахгүй тул хэлхээг таслана.
Хоёрдугаарт, MOSFET эсрэг урвуу хэлхээний тодорхой хэрэгжилт
1. N-сувгийн MOSFET эсрэг урвуу хэлхээ
N-сувгийн MOSFET-ийг ихэвчлэн эсрэг урвуу хэлхээг хэрэгжүүлэхэд ашигладаг. Хэлхээнд N-сувгийн MOSFET-ийн эх үүсвэр (S) нь ачааллын сөрөг терминалтай, ус зайлуулах хоолой (D) нь тэжээлийн эх үүсвэрийн эерэг терминалтай холбогдсон ба хаалга (G) нь резистор эсвэл хяналтын хэлхээгээр удирддаг цахилгаан тэжээлийн сөрөг терминал.
Урагшаа холболт: цахилгаан тэжээлийн эерэг терминал нь D-д, сөрөг терминал нь S-д холбогдсон байна. Энэ үед эсэргүүцэл нь MOSFET-ийн хаалганы эх үүсвэрийн хүчдэлийг (VGS) өгдөг ба VGS босго хэмжээнээс их байх үед MOSFET-ийн хүчдэл (Vth), MOSFET дамжуулдаг ба гүйдэл нь цахилгаан тэжээлийн эерэг терминалаас MOSFET-ээр дамжин ачаалал руу урсдаг.
Урвуу байрлалтай үед: тэжээлийн хангамжийн эерэг терминал нь S-д, сөрөг терминал нь D-д холбогдсон байна. Энэ үед MOSFET нь таслах төлөвт байгаа бөгөөд хаалганы хүчдэл учир ачааллыг гэмтлээс хамгаалахын тулд хэлхээг салгасан. MOSFET-ийг явуулахад хангалттай VGS үүсгэх боломжгүй (VGS 0-ээс бага эсвэл Vth-ээс хамаагүй бага байж болно).
2. Туслах бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн үүрэг
Эсэргүүцэл: MOSFET-ийн хаалганы эх үүсвэрийн хүчдэлийг хангах, хаалганы хэт гүйдлийн эвдрэлээс урьдчилан сэргийлэхийн тулд хаалганы гүйдлийг хязгаарлахад ашигладаг.
Хүчдэл зохицуулагч: хаалганы эх үүсвэрийн хүчдэл хэт өндөр байх, MOSFET-ийг задлахаас урьдчилан сэргийлэх нэмэлт бүрэлдэхүүн хэсэг.
Шимэгч диод: MOSFET дотор паразит диод (биеийн диод) байдаг боловч урвуу хэлхээнд сөрөг нөлөө үзүүлэхгүйн тулд хэлхээний загвараар түүний үр нөлөөг ихэвчлэн үл тоомсорлодог.
Гуравдугаарт, MOSFET эсрэг урвуу хэлхээний давуу тал
Бага алдагдал: MOSFET-ийн эсэргүүцэл бага, эсэргүүцлийн хүчдэл багассан тул хэлхээний алдагдал бага байна.
Өндөр найдвартай байдал: урвуу эсрэг функцийг энгийн хэлхээний дизайнаар дамжуулан хэрэгжүүлэх боломжтой бөгөөд MOSFET нь өөрөө өндөр найдвартай байдаг.
Уян хатан байдал: өөр өөр MOSFET загварууд болон хэлхээний загварыг өөр өөр хэрэглээний шаардлагыг хангахын тулд сонгож болно.
Урьдчилан сэргийлэх
MOSFET эсрэг урвуу хэлхээний дизайн хийхдээ та хүчдэл, гүйдэл, шилжих хурд болон бусад параметрүүдийг багтаасан хэрэглээний шаардлагад нийцсэн MOSFET-ийг сонгох хэрэгтэй.
Хэлхээний гүйцэтгэлд сөрөг нөлөө үзүүлэхээс зайлсхийхийн тулд паразитийн багтаамж, шимэгчийн индукц гэх мэт хэлхээний бусад бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн нөлөөг авч үзэх шаардлагатай.
Практик хэрэглээнд хэлхээний тогтвортой байдал, найдвартай байдлыг хангахын тулд зохих туршилт, баталгаажуулалт шаардлагатай байдаг.
Дүгнэж хэлэхэд, MOSFET эсрэг урвуу хэлхээ нь энгийн, найдвартай, алдагдал багатай цахилгаан хангамжийн хамгаалалтын схем бөгөөд урвуу цахилгаан туйлшралаас урьдчилан сэргийлэх шаардлагатай олон төрлийн хэрэглээнд өргөн хэрэглэгддэг.
Шуудангийн цаг: 2024 оны 9-р сарын 13-ны хооронд
