Цахим эд ангиудын салбар нь тусламжгүйгээр одоогийн түвшинд хүрсэнMOSFETsболон Талбайн нөлөөллийн транзисторууд. Гэсэн хэдий ч электроникийн салбарт шинээр орж буй зарим хүмүүсийн хувьд MOSFET болон хээрийн эффектийн транзисторыг төөрөлдүүлэх нь ихэвчлэн амархан байдаг. MOSFET болон хээрийн эффектийн транзисторын цаана ямар холболт байдаг вэ? MOSFET нь хээрийн эффектийн транзистор мөн үү, үгүй юу?
Үнэн хэрэгтээ эдгээр электрон бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн дагуу MOSFET нь хээрийн эффектийн транзистор гэж хэлэхэд ямар ч асуудал байхгүй, гэхдээ эсрэгээр нь зөв биш, өөрөөр хэлбэл хээрийн эффектийн транзистор нь зөвхөн MOSFET-ийг багтаахаас гадна бас орно. бусад электрон бүрэлдэхүүн хэсгүүд.
Талбайн эффектийн транзисторыг уулзвар хоолой ба MOSFET гэж хувааж болно. MOSFET-тэй харьцуулахад уулзвар хоолойг бага ашигладаг тул уулзвар хоолойг дурдах давтамж маш бага, MOSFET болон хээрийн эффектийн транзисторыг ихэвчлэн дурддаг тул тэдгээрийг ижил төрлийн бүрэлдэхүүн хэсэг гэж буруугаар ойлгоход хялбар байдаг.
MOSFETсайжруулалтын төрөл ба хомсдолын төрөлд хувааж болох бөгөөд эдгээр хоёр электрон эд ангиудын ажиллах зарчим нь арай өөр, хаалган дахь сайжруулах төрлийн хоолой (G) дээр нэмэх нь эерэг хүчдэл, ус зайлуулах хоолой (D) ба эх үүсвэр (S) явуулах, харин шавхалтын төрөл нь эерэг хүчдэлд хаалга (G) нэмээгүй ч гэсэн, ус зайлуулах хоолой (D) болон эх үүсвэр (S) нь мөн дамжуулагч юм.
Энд хээрийн эффектийн транзисторын ангилал дуусаагүй байгаа тул хоолойн төрөл бүрийг N хэлбэрийн хоолой ба P хэлбэрийн хоолойд хувааж болох тул хээрийн эффект транзисторыг доорх зургаан төрлийн хоолойд хувааж болно, N-суваг уулзвар талбайн эффект транзистор, P-сувгийн уулзвар талбайн эффект транзистор, N-суваг сайжруулах талбар нөлөө транзистор, P-суваг сайжруулах талбар нөлөөллийн транзистор, N-сувгийн хомсдолын талбайн эффект транзистор, P-сувгийн хомсдолын төрлийн талбайн эффект транзистор.
Хэлхээний тэмдгүүдийн хэлхээний диаграм дахь бүрэлдэхүүн хэсэг бүр өөр өөр байдаг, жишээлбэл, дараах зурагт хоёр төрлийн уулзвар хоолойн хэлхээний тэмдэглэгээг жагсаасан бөгөөд N-сувгийн уулзвар талбайн эффект транзисторын хоолой руу чиглэсэн №2 зүү сумтай. , гадагш чиглэсэн нь P-сувгийн уулзвар талбайн эффект транзистор юм.
MOSFETболон уулзвар хоолойн хэлхээний тэмдгийн ялгаа харьцангуй их хэвээр байгаа, N-суваг хомсдол төрлийн талбайн нөлөө транзистор болон P-суваг хомсдол төрлийн талбайн нөлөөллийн транзистор, N төрлийн хоолой руу чиглэсэн ижил сум, гадагш чиглэсэн P төрлийн хоолой байна . Үүний нэгэн адил N-сувгийн сайжруулалтын төрлийн талбайн эффектийн транзистор ба P-сувгийн сайжруулалтын төрлийн хээрийн эффектийн транзисторуудын ялгаа нь мөн сумны зааж байгаа байрлал дээр суурилж, хоолой руу чиглүүлэх нь N-төрөл, гадагш чиглэсэн нь P-төрөл юм.
Сайжруулах талбайн эффектийн транзисторууд (N-төрлийн хоолой ба P-төрлийн хоолойг оролцуулан) ба хомсдолын талбайн эффектийн транзисторууд (N-төрлийн хоолой ба P-төрлийн хоолойг оруулаад) хэлхээний тэмдэгтүүд маш ойрхон байна. Энэ хоёрын ялгаа нь нэг тэмдгийг тасархай шугамаар, нөгөөг нь цул шугамаар дүрсэлсэнд оршино. Тасарсан шугам нь талбайн эффектийн транзисторын сайжруулалтыг, хатуу шугам нь талбайн нөлөөллийн транзисторын хомсдолыг заана.
Шуудангийн цаг: 2024 оны 4-р сарын 25
