MOSFETsүүрэг гүйцэтгэдэгшилжих хэлхээндхэлхээг асаах, унтраах, дохионы хувиргалтыг хянах явдал юм.MOSFETs N-суваг ба P-суваг гэсэн хоёр төрөлд ерөнхийд нь хувааж болно.
N сувагтMOSFETхэлхээ, дохионы хариуг идэвхжүүлэхийн тулд BEEP зүү өндөр, дуугаралтыг унтраахын тулд бага байна.P-сувагMOSFETGPS модулийн тэжээлийн хангамжийг асаах, унтраахын тулд асаалттай үед GPS_PWR зүү бага, GPS модуль хэвийн цахилгаан хангамжGPS модулийг унтраахын тулд , мөн өндөр байна.
P-сувагMOSFETP + бүс дэх N хэлбэрийн цахиурын субстрат нь ус зайлуулах ба эх үүсвэр гэсэн хоёртой. Эдгээр хоёр туйл нь бие биендээ дамжуулдаггүй бөгөөд газардуулга хийх үед эх үүсвэрт хангалттай эерэг хүчдэл нэмэгдэх үед хаалганы доорх N хэлбэрийн цахиурын гадаргуу нь P хэлбэрийн урвуу давхарга болон ус зайлуулах суваг болон эх үүсвэрийг холбосон сувагт үүснэ. . Хаалган дээрх хүчдэлийг өөрчлөх нь суваг дахь нүхний нягтыг өөрчилдөг тул сувгийн эсэргүүцлийг өөрчилдөг. Үүнийг P-суваг сайжруулах талбарын эффектийн транзистор гэж нэрлэдэг.
NMOS шинж чанар, Vgs тодорхой утгаас их байх үед асаалттай байх ба эх үүсвэрийн газардуулгатай бага зэрэглэлийн хөтчийн хайрцагт хамаарах бөгөөд шугам дээрх хаалганы хүчдэл 4V эсвэл 10V байна.
PMOS-ийн шинж чанарууд нь NMOS-ээс ялгаатай нь Vgs нь тодорхой утгаас бага байвал асах бөгөөд эх үүсвэр нь VCC-д холбогдсон үед өндөр түвшний хөтөч ашиглахад тохиромжтой. Гэсэн хэдий ч цөөн тооны орлуулах төрөл, өндөр эсэргүүцэл, өндөр үнэ зэргээс шалтгаалан PMOS-ийг дээд зэрэглэлийн хөтөч дээр ашиглахад маш тохиромжтой байдаг тул дээд зэргийн хөтөч дээр ерөнхийдөө NMOS ашигладаг.
Ерөнхийдөө,MOSFETsөндөр оролтын эсэргүүцэлтэй, хэлхээн дэх шууд холболтыг хөнгөвчлөх, том хэмжээний нэгдсэн хэлхээнд үйлдвэрлэхэд харьцангуй хялбар байдаг.
Шуудангийн цаг: 2024 оны 7-р сарын 20-ны хооронд
