MOSFET-ийн үйл ажиллагааны зарчмуудыг ойлгох нь эдгээр өндөр үр ашигтай электрон эд ангиудыг үр дүнтэй ашиглахад маш чухал юм. MOSFET нь электрон төхөөрөмжид зайлшгүй шаардлагатай элементүүд бөгөөд тэдгээрийг ойлгох нь үйлдвэрлэгчдэд зайлшгүй шаардлагатай.
Практикт MOSFET-ийн тусгай функцийг ашиглах явцад бүрэн үнэлдэггүй үйлдвэрлэгчид байдаг. Гэсэн хэдий ч электрон төхөөрөмж дэх MOSFET-ийн ажиллах зарчим, тэдгээрийн холбогдох үүргийг ойлгосноор түүний өвөрмөц шинж чанар, бүтээгдэхүүний онцлог шинж чанарыг харгалзан хамгийн тохиромжтой MOSFET-ийг стратегийн хувьд сонгох боломжтой. Энэ арга нь бүтээгдэхүүний гүйцэтгэлийг сайжруулж, зах зээлд өрсөлдөх чадварыг нэмэгдүүлдэг.
WINSOK SOT-23-3 багц MOSFET
MOSFET-ийн ажиллах зарчим
MOSFET-ийн хаалганы эх үүсвэрийн хүчдэл (VGS) тэг байх үед ус зайлуулах эх үүсвэрийн хүчдэл (VDS) хэрэглэсэн ч гэсэн урвуу хэвийсэн PN уулзвар үргэлж байдаг бөгөөд үүний үр дүнд хооронд дамжуулагч суваг (болон гүйдэл байхгүй) үүсдэг. MOSFET-ийн ус зайлуулах суваг ба эх үүсвэр. Энэ төлөвт MOSFET-ийн ус зайлуулах гүйдэл (ID) тэг байна. Хаалга ба эх үүсвэрийн хооронд эерэг хүчдэлийг (VGS > 0) хэрэглэснээр MOSFET-ийн хаалга ба цахиурын субстратын хооронд SiO2 тусгаарлагч давхаргад цахилгаан талбар үүсч, хаалганаас P хэлбэрийн цахиур субстрат руу чиглэнэ. Оксидын давхарга нь тусгаарлах шинж чанартай тул хаалганд хэрэглэсэн хүчдэл VGS нь MOSFET-д гүйдэл үүсгэж чадахгүй. Үүний оронд оксидын давхаргад конденсатор үүсгэдэг.
VGS аажмаар нэмэгдэхийн хэрээр конденсатор цэнэглэгдэж, цахилгаан орон үүсдэг. Хаалганы эерэг хүчдэлд татагдсан олон тооны электронууд конденсаторын нөгөө талд хуримтлагдаж, MOSFET-ийн эх үүсвэр рүү ус зайлуулах хоолойноос N хэлбэрийн дамжуулагч суваг үүсгэдэг. VGS нь VT-ийн босго хүчдэлээс хэтэрсэн үед (ихэвчлэн 2V орчим) MOSFET-ийн N-суваг дамжуулж, гадагшлуулах гүйдлийн ID-ийн урсгалыг эхлүүлдэг. Суваг үүсч эхлэх хаалганы эх үүсвэрийн хүчдэлийг VT босго хүчдэл гэж нэрлэдэг. VGS-ийн хэмжээ, улмаар цахилгаан талбарыг хянах замаар MOSFET дахь ус зайлуулах гүйдлийн ID-ийн хэмжээг өөрчлөх боломжтой.
WINSOK DFN5x6-8 багц MOSFET
MOSFET програмууд
MOSFET нь маш сайн сэлгэн залгах шинж чанараараа алдартай бөгөөд энэ нь унтраалгатай тэжээлийн хангамж гэх мэт электрон унтраалга шаарддаг хэлхээнд өргөн хэрэглэгддэг. 5V тэжээлийн хангамжийг ашигладаг бага хүчдэлийн хэрэглээнд уламжлалт бүтцийг ашиглах нь хоёр туйлт холболтын транзисторын суурь ялгаруулагч (ойролцоогоор 0.7V) дээр хүчдэлийн уналтад хүргэдэг бөгөөд энэ нь хаалганд өгсөн эцсийн хүчдэлд зөвхөн 4.3V үлддэг. MOSFET. Ийм нөхцөлд 4.5V-ийн нэрлэсэн хаалганы хүчдэлтэй MOSFET-ийг сонгох нь тодорхой эрсдэлийг дагуулдаг. Энэ сорилт нь 3V эсвэл бусад бага хүчдэлийн тэжээлийн хангамжтай холбоотой хэрэглээнд мөн илэрдэг.
Шуудангийн цаг: 2023 оны 10-р сарын 27
