MOSFETsөргөн хэрэглэгддэг. Одоо зарим том хэмжээний нэгдсэн хэлхээг ашиглаж байна MOSFET , үндсэн функц болон BJT транзистор, шилжих, олшруулах явдал юм. Үндсэндээ BJT триодыг ашиглах боломжтой газар ашиглаж болох ба зарим газарт гүйцэтгэл нь триодоос илүү байдаг.
MOSFET-ийн олшруулалт
MOSFET болон BJT триод хэдийгээр аль аль нь хагас дамжуулагч өсгөгч төхөөрөмж боловч триодоос илүү давуу талтай, тухайлбал өндөр оролтын эсэргүүцэл, дохионы эх үүсвэр нь бараг ямар ч гүйдэлгүй байдаг нь оролтын дохионы тогтвортой байдалд тустай. Энэ нь оролтын түвшний өсгөгчийн хувьд хамгийн тохиромжтой төхөөрөмж бөгөөд дуу чимээ багатай, температурын тогтвортой байдал зэрэг давуу талтай. Энэ нь ихэвчлэн аудио өсгөлтийн хэлхээний урьдчилсан өсгөгч болгон ашиглагддаг. Гэсэн хэдий ч энэ нь хүчдэлийн удирдлагатай гүйдлийн төхөөрөмж учраас drain гүйдлийг хаалганы эх үүсвэрийн хоорондох хүчдэлээр удирддаг, бага давтамжийн дамжуулалтын олшруулах коэффициент нь ерөнхийдөө их биш, тиймээс өсгөх чадвар муу байдаг.
MOSFET-ийн шилжих нөлөө
MOSFET нь зөвхөн полион дамжуулах чанарт тулгуурладаг тул үндсэн гүйдэл ба цэнэгийн хуримтлалын нөлөөгөөр BJT триод гэж байдаггүй тул MOSFET-ийн шилжих хурд нь триодоос хурдан, шилжүүлэгч хоолой болгон ашигладаг. ажлын өндөр давтамжийн өндөр гүйдлийн төлөвт MOSFET-д ашигладаг тэжээлийн хангамжийг солих гэх мэт өндөр давтамжийн өндөр гүйдлийн үед ихэвчлэн ашиглагддаг. BJT триодын унтраалгатай харьцуулахад MOSFET унтраалга нь бага хүчдэл, гүйдэлтэй ажиллах боломжтой бөгөөд цахиур хавтан дээр нэгтгэхэд хялбар байдаг тул том хэмжээний нэгдсэн хэлхээнд өргөн хэрэглэгддэг.
Хэрэглэхдээ урьдчилан сэргийлэх арга хэмжээ юу вэMOSFETs?
MOSFET нь триодыг бодвол илүү нарийн бөгөөд зохисгүй ашиглалтаас амархан гэмтдэг тул тэдгээрийг ашиглахдаа онцгой анхаарал тавих хэрэгтэй.
(1) Төрөл бүрийн хэрэглээний тохиолдолд тохирох MOSFET төрлийг сонгох шаардлагатай.
(2) MOSFET-ууд, ялангуяа тусгаарлагдсан хаалгатай MOSFET-ууд нь өндөр оролтын эсэргүүцэлтэй байдаг бөгөөд хаалганы индукцийн цэнэгийн улмаас хоолойг гэмтээхгүйн тулд ашиглаагүй үед электрод бүрийг богино холбосон байх ёстой.
(3) MOSFET-ийн уулзварын хаалганы эх үүсвэрийн хүчдэлийг буцаах боломжгүй боловч нээлттэй хэлхээний төлөвт хадгалах боломжтой.
(4) MOSFET-ийн өндөр оролтын эсэргүүцлийг хадгалахын тулд хоолойг чийгээс хамгаалж, ашиглалтын орчинд хуурай байлгах хэрэгтэй.
(5) MOSFET-тэй холбогдох цэнэглэгдсэн объектуудыг (гагнуурын төмөр, туршилтын хэрэгсэл гэх мэт) хоолойг гэмтээхгүйн тулд газардуулах шаардлагатай. Ялангуяа MOSFET тусгаарлагдсан хаалгыг гагнахдаа эх сурвалжийн дагуу гагнуурын дарааллын дарааллын дагуу цахилгааныг унтраасны дараа гагнах нь дээр. Гагнуурын төмрийн хүч нь 15 ~ 30 Вт хүртэл тохиромжтой, гагнуурын хугацаа 10 секундээс хэтрэхгүй байх ёстой.
(6) MOSFET тусгаарлагдсан хаалгыг мультиметрээр турших боломжгүй, зөвхөн шалгагчаар шалгах боломжтой бөгөөд зөвхөн шалгагч руу нэвтэрсний дараа электродын богино залгааны утсыг арилгах боломжтой. Устгах үед хаалганы хэт их уналтаас зайлсхийхийн тулд электродыг зайлуулахын өмнө богино холболт хийх шаардлагатай.
(7) Ашиглах үедMOSFETsсубстратын утастай бол субстратын утаснууд зөв холбогдсон байх ёстой.
Шуудангийн цаг: 2024 оны 4-р сарын 23
