MOSFET-ийн ажиллах зарчим юу вэ?

MOSFET (FieldEffect Transistor товчлол (FET)) гарчигMOSFET. дулаан дамжилтын илтгэлцүүрт оролцох цөөн тооны тээвэрлэгчээр, мөн олон туйлтай уулзвар транзистор гэж нэрлэдэг. Үүнийг хүчдэлийн удирдлагатай хагас хэт дамжуулагч төхөөрөмж гэж ангилдаг. Одоо байгаа гаралтын эсэргүүцэл өндөр (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ом), дуу чимээ багатай, эрчим хүчний хэрэглээ бага, статик хүрээ, нэгтгэхэд хялбар, хоёр дахь эвдрэлийн үзэгдэл байхгүй, өргөн далай тэнгисийн даатгалын үүрэг болон бусад давуу талууд нь одоо өөрчлөгдсөн. хоёр туйлт холболтын транзистор ба хүчирхэг хамтран ажиллагсдын цахилгаан холболтын транзистор.

MOSFET шинж чанарууд

Нэгдүгээрт: MOSFET нь хүчдэлийг хянах төхөөрөмж бөгөөд VGS (хаалганы эх үүсвэрийн хүчдэл) -ээр дамжуулан мастер ID (дренаж DC) руу шилжих;

Хоёрдугаарт:MOSFET-үүдгаралтын DC нь маш бага тул гаралтын эсэргүүцэл нь маш их байдаг.

Гурав: Энэ нь дулаан дамжуулах хэд хэдэн зөөгч хэрэглэж, улмаар энэ нь тогтвортой байдлын хэмжүүр илүү байна;

Дөрөв: энэ нь транзистор нь жижиг коэффициентүүдийн цахилгааны бууралтын бууруулсан замаас бүрдэхээс бага байхын тулд жижиг коэффициентүүдийн цахилгааны бууралтын бууруулсан замаас бүрдэнэ;

Тавдугаарт: MOSFET цацрагийн эсрэг хүч;

Зургаа: дуу чимээ багатай учир тархсан дуу чимээний тоосонцороос үүссэн цөөнхийн тархалтын буруу үйл ажиллагаа байхгүй.

MOSFET ажлын зарчим

MOSFETнэг өгүүлбэрт даалгавар зарчим, өөрөөр хэлбэл, "drain - ID-г эзэмшихийн тулд электрод ба pn-ийн хоорондох суваг нь урвуу хэвийсэн электродын хүчдэл болгон бүтээгдсэн, ID-ийн хоорондох сувгаар дамжих эх үүсвэр". Илүү үнэн зөв, хэлхээний даяар ID далайц, өөрөөр хэлбэл, сувгийн хөндлөн огтлолын талбай, энэ нь pn уулзвар эсрэг хэвийсэн хэлбэлзэл, шавхагдах давхаргын тохиолдох шалтгаан эзэмших өөрчлөлтийг өргөжүүлэх. VGS=0 ханасан бус далайд заасан шилжилтийн давхаргын тэлэлт тийм ч их биш, учир нь drain-эх үүсвэрийн хооронд нэмсэн VDS-ийн соронзон орны дагуу эх үүсвэрийн далай дахь зарим электронууд drain-ээр татагддаг. , өөрөөр хэлбэл, ус зайлуулах хоолойноос эх үүсвэр хүртэлх DC ID үйл ажиллагаа байдаг. Хаалганаас ус зайлуулах хоолой руу тэлэх дунд зэргийн давхарга нь сувгийн бүхэл бүтэн биеийн түгжрэлийг үүсгэдэг, ID дүүрэн. Энэ загварыг хавчих гэж үзнэ үү. Энэ нь шилжилтийн давхарга нь бүхэл бүтэн суваг саад болж байгааг илтгэж байгаа бөгөөд энэ нь DC таслагдсан биш юм.

Шилжилтийн давхаргад электрон болон нүхний өөрөө хөдөлгөөн байхгүй тул ерөнхий тогтмол гүйдлийн оршин тогтнох тусгаарлагч шинж чанар нь бодит хэлбэрээр шилжихэд хэцүү байдаг. Гэсэн хэдий ч, ус зайлуулах хооронд соронзон орон - эх үүсвэр, практикт, хоёр шилжилтийн давхарга холбоо барих ус зайлуулах болон хаалганы туйл зүүн доод, учир нь зөрөх соронзон орон шилжилтийн давхарга дамжуулан өндөр хурдны электрон татдаг. Учир нь шилжилтийн соронзон орны хүч нь ID үзэгдлийн бүрэн байдлыг өөрчилдөггүй. Хоёрдугаарт, VGS нь сөрөг байрлал руу шилждэг тул VGS = VGS (унтраах), дараа нь шилжилтийн давхарга нь далайг бүхэлд нь бүрхэх хэлбэрийг ихээхэн өөрчилдөг. Мөн VDS-ийн соронзон орон нь шилжилтийн давхаргад их хэмжээгээр нэмэгддэг, соронзон орон нь электроныг зөрөх байрлал руу татдаг, маш богино бүх эх үүсвэрийн туйлтай ойрхон байгаа бол энэ нь тогтмол гүйдлийн хүч биш юм. зогсонги байдалд орох боломжтой.