MOSFETs (Металл ислийн хагас дамжуулагч талбарын нөлөөллийн транзисторууд) нь хүчдэлийн удирдлагатай төхөөрөмж гэж нэрлэгддэг тул тэдгээрийн ажиллах зарчим нь гүйдэлд найдах биш харин гадагшлуулах гүйдэл (Id) дээрх хаалганы хүчдэлийг (Vgs) хянахад тулгуурладаг. Энэ нь хоёр туйлт транзистор (BJT гэх мэт) юм. Дараах нь хүчдэлийн удирдлагатай төхөөрөмж болох MOSFET-ийн дэлгэрэнгүй тайлбар юм.
Ажлын зарчим
Хаалганы хүчдэлийн хяналт:MOSFET-ийн зүрх нь түүний хаалга, эх үүсвэр, ус зайлуулах хоолой ба хаалганы доор байрлах тусгаарлагч давхарга (ихэвчлэн цахиурын давхар исэл) хооронд байрладаг. Хаалга руу хүчдэл өгөх үед тусгаарлагч давхаргын доор цахилгаан орон үүсдэг бөгөөд энэ талбар нь эх үүсвэр ба ус зайлуулах хоолойн хоорондох хэсгийн дамжуулалтыг өөрчилдөг.
Дамжуулагч суваг үүсэх:N-сувгийн MOSFET-ийн хувьд хаалганы хүчдэл Vgs хангалттай өндөр (босго хүчдэл Vt гэж нэрлэгддэг тодорхой утгаас дээш) үед хаалганы доорх P хэлбэрийн субстрат дахь электронууд тусгаарлагч давхаргын доод талд татагдаж, N- үүсгэнэ. эх үүсвэр ба ус зайлуулах хоолойн хооронд дамжуулалтыг зөвшөөрдөг дамжуулагч сувгийн төрөл. Үүний эсрэгээр, хэрэв Vgs Vt-ээс бага байвал дамжуулагч суваг үүсэхгүй бөгөөд MOSFET нь таслагдах болно.
Ус зайлуулах гүйдлийн хяналт:ус зайлуулах гүйдлийн Id-ийн хэмжээг голчлон хаалганы Vgs хүчдэлээр удирддаг. Vgs өндөр байх тусам дамжуулагч суваг илүү өргөн болж, гадагшлуулах гүйдлийн Id нь их байх болно. Энэ хамаарал нь MOSFET нь хүчдэлийн удирдлагатай гүйдлийн төхөөрөмжийн үүрэг гүйцэтгэх боломжийг олгодог.
Пьезо шинж чанарын давуу тал
Өндөр оролтын эсэргүүцэл:MOSFET-ийн оролтын эсэргүүцэл нь хаалга болон эх үүсвэр-дренажийн бүсийг тусгаарлагч давхаргаар тусгаарласны улмаас маш өндөр бөгөөд хаалганы гүйдэл нь бараг тэг бөгөөд энэ нь өндөр оролтын эсэргүүцэл шаардлагатай хэлхээнд ашигтай байдаг.
Дуу чимээ багатай:MOSFET нь өндөр оролтын эсэргүүцэл ба нэг туйлт зөөвөрлөгчийн дамжуулагч механизмаас шалтгаалан үйл ажиллагааны явцад харьцангуй бага дуу чимээ үүсгэдэг.
Хурдан солих хурд:MOSFET нь хүчдэлийн удирдлагатай төхөөрөмж тул тэдгээрийн шилжих хурд нь ихэвчлэн хоёр туйлт транзисторуудаас илүү хурдан байдаг бөгөөд тэдгээр нь шилжих явцад цэнэгийг хадгалах, суллах процессыг туулах ёстой.
Бага эрчим хүчний хэрэглээ:Асаалттай үед MOSFET-ийн ус зайлуулах эх үүсвэрийн эсэргүүцэл (RDS(on)) харьцангуй бага бөгөөд энэ нь цахилгаан зарцуулалтыг бууруулахад тусалдаг. Мөн таслах төлөвт хаалганы гүйдэл бараг тэг тул статик эрчим хүчний хэрэглээ маш бага байна.
Дүгнэж хэлэхэд, MOSFET-ийг хүчдэлийн удирдлагатай төхөөрөмж гэж нэрлэдэг, учир нь тэдгээрийн ажиллах зарчим нь хаалганы хүчдэлээр зайлуулах гүйдлийг хянахаас ихээхэн хамаардаг. Энэхүү хүчдэлийн удирдлагатай шинж чанар нь MOSFET-ийг электрон хэлхээний өргөн хүрээний хэрэглээнд, ялангуяа өндөр оролтын эсэргүүцэл, дуу чимээ багатай, хурдан шилжих хурд, бага эрчим хүч зарцуулдаг.
Шуудангийн цаг: 2024 оны 9-р сарын 16
