Inverter MOSFET халаалтын шалтгаан юу вэ?

Инвертерийн MOSFET нь шилжих төлөвт ажилладаг бөгөөд MOSFET-ээр дамжин өнгөрөх гүйдэл маш өндөр байдаг. Хэрэв MOSFET-ийг зөв сонгоогүй, жолоодлогын хүчдэлийн далайц хангалттай том биш эсвэл хэлхээний дулааны тархалт сайн биш бол MOSFET-ийг халаахад хүргэж болзошгүй.

1, Inverter MOSFET халаалт нь ноцтой тул анхаарлаа хандуулах хэрэгтэйMOSFETсонголт

Шилжүүлэгч төлөвт байгаа MOSFET нь ерөнхийдөө түүний гадагшлуулах гүйдлийг аль болох их, эсэргүүцлийг аль болох бага байлгахыг шаарддаг бөгөөд ингэснээр та MOSFET-ийн ханалтын хүчдэлийн уналтыг бууруулж, улмаар MOSFET-ийн хэрэглээг бууруулж, зарцуулалтыг бууруулна. дулаан.

MOSFET-ийн гарын авлагыг шалгана уу, бид MOSFET-ийн тэсвэрлэх хүчдэлийн утга өндөр байх тусам түүний эсэргүүцэл их байх бөгөөд MOSFET-ийн гүйдэл их, тэсвэрлэх хүчдэл бага байвал түүний эсэргүүцэл нь ерөнхийдөө хэдэн арван нэгжээс доогуур байгааг олж мэдэх болно. миллиом.

Ачааллын гүйдлийг 5А гэж үзвэл бид түгээмэл хэрэглэгддэг MOSFETRU75N08R инвертерийг сонгож, 500В 840-ийн хүчдэлийг тэсвэрлэх чадвартай, тэдгээрийн гадагшлуулах гүйдэл 5А ба түүнээс дээш байх боловч хоёр MOSFET-ийн эсэргүүцэл өөр, ижил гүйдлийг жолооддог. , тэдгээрийн дулааны ялгаа маш их байна. 75N08R-ийн эсэргүүцэл нь ердөө 0.008 Ом, харин 840-ийн эсэргүүцэл 75N08R-ийн эсэргүүцэл нь ердөө 0.008 Ом, харин 840-ийн эсэргүүцэл нь 0.85 Ом байна. MOSFET-ээр дамжих ачааллын гүйдэл 5А байх үед 75N08R-ийн MOSFET-ийн хүчдэлийн уналт ердөө 0.04V, MOSFET-ийн MOSFET-ийн хэрэглээ ердөө 0.2 Вт байхад 840-ийн MOSFET-ийн хүчдэлийн уналт 4.25 Вт хүртэл байж болох ба хэрэглээ MOSFET нь 21.25 Вт хүртэл өндөр байна. Эндээс харахад MOSFET-ийн эсэргүүцэл нь 75N08R-ийн эсэргүүцлээс ялгаатай бөгөөд тэдгээрийн дулаан үүсэх нь маш өөр юм. MOSFET-ийн эсэргүүцэл бага байх тусмаа сайн, MOSFET-ийн эсэргүүцэл нь өндөр гүйдлийн хэрэглээний үед MOSFET хоолой нэлээд том байна.

2, жолоодлогын хүчдэлийн далайцын жолоодлогын хэлхээ хангалттай том биш байна

MOSFET бол хүчдэлийн хяналтын төхөөрөмж бөгөөд хэрэв та MOSFET хоолойн хэрэглээг багасгах, дулааныг багасгах, MOSFET хаалганы хөтөчийн хүчдэлийн далайц хангалттай том байх, импульсийн ирмэгийг эгц рүү чиглүүлэх,MOSFETхоолойн хүчдэлийн уналт, MOSFET хоолойн хэрэглээг багасгах.

3, MOSFET дулааны тархалт нь сайн шалтгаан биш юм

Inverter MOSFET халаалт нь ноцтой юм. Инвертерийн MOSFET хоолойн хэрэглээ их байдаг тул ажил нь ерөнхийдөө дулаан шингээгчийн гадна талын хангалттай том талбайг шаарддаг бөгөөд гаднах дулаан шингээгч болон дулаан шингээгчийн хоорондох MOSFET нь хоорондоо нягт холбоотой байх ёстой (ерөнхийдөө дулаан дамжуулагчаар бүрсэн байх шаардлагатай. силикон тос), хэрэв гаднах дулаан шингээгч нь жижиг эсвэл MOSFET нь өөрөө дулаан шингээгчтэй холбоо барихад хангалттай ойрхон биш байвал MOSFET халаалтыг үүсгэж болно.

Inverter MOSFET-ийн халаалт нь ноцтой дөрвөн шалтгаантай.

MOSFET-ийн бага зэрэг халах нь хэвийн үзэгдэл боловч халах нь ноцтой, тэр ч байтугай MOSFET-ийг шатаахад хүргэдэг, дараах дөрвөн шалтгаан бий.

1, хэлхээний дизайны асуудал

MOSFET-ийг сэлгэн залгах хэлхээний төлөвт бус шугаман үйлдлийн төлөвт ажиллуул. Энэ нь мөн MOSFET халаалтын нэг шалтгаан юм. Хэрэв N-MOS шилжүүлж байгаа бол G түвшний хүчдэл бүрэн асаалттай байхын тулд тэжээлийн эх үүсвэрээс хэдхэн В өндөр байх ёстой бол P-MOS нь эсрэгээрээ байна. Бүрэн нээгдээгүй, хүчдэлийн уналт нь хэт том учраас эрчим хүчний зарцуулалт, түүнтэй тэнцэх тогтмол гүйдлийн эсэргүүцэл их, хүчдэлийн уналт ихсэх тул U * I бас нэмэгддэг, алдагдал нь дулаан гэсэн үг. Энэ бол хэлхээний дизайны хамгийн их зайлсхийсэн алдаа юм.

2, хэт өндөр давтамж

Гол шалтгаан нь заримдаа дууны хэмжээг хэтрүүлэн хөөцөлдөх нь давтамж нэмэгдэхэд хүргэдэг.MOSFETих хэмжээний алдагдалтай тул дулааныг бас нэмэгдүүлдэг.

3, хангалттай дулааны загвар биш

Хэрэв гүйдэл хэт өндөр байвал MOSFET-ийн нэрлэсэн гүйдлийн утга нь ихэвчлэн сайн дулаан дамжуулалтыг шаарддаг. Тиймээс ID нь хамгийн их гүйдлийн хэмжээнээс бага, энэ нь бас муу халж магадгүй, хангалттай нэмэлт дулаан шингээгч хэрэгтэй.

4, MOSFET сонголт буруу байна

Хүч чадлын буруу дүгнэлт, MOSFET-ийн дотоод эсэргүүцлийг бүрэн тооцдоггүй тул шилжих эсэргүүцэл нэмэгддэг.