MOSFET-ийн дөрвөн бүс юу вэ?

N-сувгийг сайжруулах MOSFET-ийн дөрвөн бүс

(1) Хувьсах эсэргүүцлийн бүс (мөн ханаагүй бүс гэж нэрлэдэг)

Ucs" Ucs (th) (асаах хүчдэл), uDs" UGs-Ucs (th), суваг асаалттай байгаа зураг дээрх урьдчилан хавчуулсан ул мөрийн зүүн талын бүс юм. Энэ бүс нутагт UD-ийн үнэ цэнэ бага бөгөөд сувгийн эсэргүүцлийг үндсэндээ зөвхөн UG-ууд удирддаг. uGs тодорхой бол ip болон uD нь шугаман хамаарал болж байгаа үед тухайн бүсийг шулуун шугамын багц болгон ойролцоолно. Энэ үед хээрийн нөлөөний хоолой D, S хүчдэлийн UGS-ийн эквивалент хооронд байна

UGS хүчдэлийн хувьсах эсэргүүцэлээр удирддаг.

(2) тогтмол гүйдлийн бүс (мөн ханалтын бүс, олшруулах бүс, идэвхтэй бүс гэж нэрлэдэг)

Ucs ≥ Ucs (h) ба Ubs ≥ UcsUssth), замаас өмнөх чимхэх хэсгийн баруун талын дүрсийн хувьд, гэхдээ бүс нутагт хараахан задарч амжаагүй байгаа, uGs байх ёстой үед, ib бараг байхгүй. UDs-ийн өөрчлөлт нь тогтмол гүйдлийн шинж чанар юм. i-г зөвхөн UG-ууд удирддаг бол MOSFETD, S нь гүйдлийн эх үүсвэрийн хүчдэлийн uGs удирдлагатай тэнцэнэ. MOSFET нь олшруулах хэлхээнд ашиглагддаг, ерөнхийдөө MOSFET D-ийн ажилд ашиглагддаг, S нь хүчдэлийн uGs хяналтын гүйдлийн эх үүсвэртэй тэнцүү юм. Олшруулах хэлхээнд ашигладаг MOSFET нь ихэвчлэн тухайн бүс нутагт ажилладаг бөгөөд үүнийг өсгөх бүс гэж нэрлэдэг.

(3) Таслах хэсэг (мөн таслах хэсэг гэж нэрлэдэг)

Бүсийн хэвтээ тэнхлэгийн ойролцоох зургийн хувьд "Ues (th)" -ийг хангахын тулд хайчлах хэсэг (мөн таслах хэсэг гэж нэрлэдэг), суваг нь бүхэлдээ хавчаарлагдсан, бүрэн хавчуур гэж нэрлэгддэг, io = 0 , хоолой ажиллахгүй байна.

(4) эвдрэлийн бүсийн байршил

Эвдрэлийн бүс нь зургийн баруун талд байрлах бүсэд байрладаг. Өсөн нэмэгдэж буй UD-ийн хувьд PN уулзвар нь хэт их урвуу хүчдэл, эвдрэлд өртөж, ip огцом нэмэгддэг. Хоолойг эвдэрсэн бүсэд ажиллуулахгүйн тулд ажиллуулах хэрэгтэй. Дамжуулах шинж чанарын муруйг гаралтын шинж чанарын муруйгаас гаргаж авч болно. олохын тулд график болгон ашигласан арга дээр. Жишээ нь, Зураг 3 (a)-д Ubs = 6V босоо шугамын хувьд түүний огтлолцол нь ib- Uss координат дахь i, Us утгуудад харгалзах янз бүрийн муруйг муруйтай холбосон, өөрөөр хэлбэл дамжуулалтын шинж чанарын муруйг олж авах.

-ийн параметрүүдMOSFET

MOSFET-ийн тогтмол гүйдлийн параметрүүд, хувьсах гүйдлийн параметрүүд, хязгаарын параметрүүд зэрэг олон параметрүүд байдаг боловч нийтлэг хэрэглээнд зөвхөн дараах үндсэн параметрүүдийг анхаарч үзэх хэрэгтэй: ханасан ус зайлуулах эх үүсвэрийн гүйдэл IDSS чимхэх хүчдэл Дээш, (уулзвар хэлбэрийн хоолой ба хомсдол). -төрлийн тусгаарлагдсан хаалгатай хоолой, эсвэл асаах хүчдэл UT (хүчитгэсэн тусгаарлагчтай хаалга хоолой), дамжуулагч gm, алдагдалтын эх үүсвэрийн эвдрэлийн хүчдэл BUDS, хамгийн их сарнисан хүч PDSM, хамгийн их ус зайлуулах эх үүсвэрийн гүйдэл IDSM .

(1) Ханасан ус зайлуулах гүйдэл

Ханасан ус зайлуулах гүйдлийн IDSS нь хаалганы хүчдэл UGS = 0 байх үед MOSFET-ийн уулзвар эсвэл хомсдолын төрлийн тусгаарлагдсан хаалганы ус зайлуулах гүйдэл юм.

(2) Таслах хүчдэл

Чимхэх хүчдэл UP нь суваг болон эх үүсвэрийн хооронд тасалддаг уулзвар буюу хомсдолын төрлийн тусгаарлагдсан MOSFET хаалганы хүчдэл юм. N-сувгийн хоолойн UGS a ID муруйг 4-25-т үзүүлснээр IDSS ба UP-ийн ач холбогдлыг ойлгож болно.

MOSFET дөрвөн бүс

(3) Асаах хүчдэл

Асаах хүчдэл UT нь бэхэлсэн тусгаарлагдсан хаалганы MOSFET дахь хаалганы хүчдэл бөгөөд ус зайлуулах эх үүсвэрийг зүгээр л дамжуулагч болгодог.

(4) Дамжуулах чадвар

Дамжуулах чадвар gm нь drain гүйдлийн ID дээрх хаалганы эх үүсвэрийн хүчдэлийн UGS-ийн хяналтын чадвар, өөрөөр хэлбэл ус зайлуулах гүйдлийн ID-ийн өөрчлөлтийг хаалганы эх үүсвэрийн UGS хүчдэлийн өөрчлөлттэй харьцуулсан харьцаа юм. 9м нь олшруулах чадварыг жинлэх чухал үзүүлэлт юмMOSFET.

(5) Ус зайлуулах эх үүсвэрийн эвдрэлийн хүчдэл

Ус зайлуулах эх үүсвэрийн эвдрэлийн хүчдэл BUDS нь хаалганы эх үүсвэрийн UGS тодорхой хүчдэлийг хэлдэг бөгөөд MOSFET хэвийн ажиллагаа нь ус зайлуулах эх үүсвэрийн хамгийн их хүчдэлийг хүлээн авах боломжтой. Энэ бол хязгаарын параметр бөгөөд MOSFET-д нэмсэн үйлдлийн хүчдэл нь BUDS-ээс бага байх ёстой.

(6) Эрчим хүчний хамгийн их зарцуулалт

Хамгийн их эрчим хүчний зарцуулалт PDSM нь мөн хязгаарын параметр юмMOSFETГүйцэтгэл нь хамгийн их зөвшөөрөгдөх алдагдлын эх үүсвэрийн эрчим хүчний алдагдал үед мууддаггүй. MOSFET-ийг ашиглахдаа практик эрчим хүчний хэрэглээ PDSM-ээс бага байх ёстой бөгөөд тодорхой зай үлдээх ёстой.

(7) Хамгийн их ус зайлуулах гүйдэл

Хамгийн их алдагдал гүйдлийн IDSM нь өөр нэг хязгаарын параметр бөгөөд MOSFET-ийн хэвийн ажиллагааг илэрхийлдэг бөгөөд MOSFET-ийн ажиллах гүйдэлээр дамжин өнгөрөх хамгийн их гүйдлийн алдагдлын эх үүсвэр нь IDSM-ээс хэтрэхгүй байх ёстой.

MOSFET-ийн үйл ажиллагааны зарчим

MOSFET (N-channel improvement MOSFET)-ийн ажиллах зарчим нь эдгээр "индуктив цэнэг"-ээс үүссэн дамжуулагч сувгийн төлөв байдлыг өөрчлөхийн тулд "индуктив цэнэгийн" хэмжээг хянахын тулд VGS-ийг ашиглах, дараа нь зорилгодоо хүрэх явдал юм. ус зайлуулах гүйдлийг хянах. Зорилго нь ус зайлуулах гүйдлийг хянах явдал юм. Хоолойг үйлдвэрлэхдээ тусгаарлагч давхаргад олон тооны эерэг ионуудыг хийх процессоор дамжуулж, интерфэйсийн нөгөө талд илүү сөрөг цэнэгийг өдөөдөг тул эдгээр сөрөг цэнэгийг өдөөдөг.

Хаалганы хүчдэл өөрчлөгдөхөд сувагт өдөөгдсөн цэнэгийн хэмжээ мөн өөрчлөгдөж, дамжуулагч сувгийн өргөн өөрчлөгддөг тул гадагшлуулах гүйдлийн ID нь хаалганы хүчдэлтэй хамт өөрчлөгддөг.

MOSFET үүрэг

I. MOSFET-ийг олшруулахад хэрэглэж болно. MOSFET өсгөгчийн оролтын эсэргүүцэл өндөр тул холбогч конденсатор нь электролитийн конденсатор ашиглахгүйгээр бага багтаамжтай байж болно.

Хоёрдугаарт, MOSFET-ийн өндөр оролтын эсэргүүцэл нь эсэргүүцэл хувиргахад маш тохиромжтой. Олон үе шаттай өсгөгчийн оролтын шатанд эсэргүүцэл хувиргахад ихэвчлэн ашиглагддаг.

MOSFET-ийг хувьсах резистор болгон ашиглаж болно.

Дөрөвдүгээрт, MOSFET-ийг тогтмол гүйдлийн эх үүсвэр болгон хялбархан ашиглаж болно.

Тавдугаарт, MOSFET-ийг электрон шилжүүлэгч болгон ашиглаж болно.